論文の概要: Photophysics of O-band and transition metal color centers in monolithic silicon for quantum communications

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.19510v2
• Date: Fri, 1 Dec 2023 18:11:32 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2023-12-04 17:47:16.040838
• Title: Photophysics of O-band and transition metal color centers in monolithic silicon for quantum communications
• Title（参考訳）: 量子通信用シリコン中のoバンドおよび遷移金属色中心の光物理
• Authors: Murat Can Sarihan, Jiahui Huang, Jin Ho Kang, Cody Fan, Wei Liu, Khalifa M. Azizur-Rahman, Baolai Liang, Chee Wei Wong
• Abstract要約: 我々は、Tセンターの寿命を65%から1.56ドルまで延長する。 0.5T以下で25%拡大する磁場誘起のスピン縮退は、高忠実なスピン光子界面としてのT中心の代替となる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 11.083725632206086
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Color centers at the low-dispersion O-band wavelengths are an essential resource for long-lifetime quantum network nodes toward memory-assisted quantum communications using energy-time entanglement. In this work, we explore the process of developing T centers and other color center defects to improve qubit storage and radiative efficiency while examining the photoluminescence dynamics. We have extended the $TX_{0}$ lifetime of T centers by 65% to 1.56 $\mu$s. Furthermore, we discover the presence of a $^*Cu_n^m$ related doublet emission around 1312 nm close to the zero-dispersion wavelength, with a spin degeneracy resulting in a magnetic-field induced broadening by 25% under 0.5 T, which can be an alternative to T centers as a high-fidelity spin-photon interface.
• Abstract（参考訳）: 低分散Oバンド波長における色中心は、エネルギー時間絡みによるメモリ支援量子通信に向けた長寿命量子ネットワークノードにとって不可欠な資源である。 そこで本研究では,光発光のダイナミクスを検証しながら,T中心およびその他の色中心欠陥の発生過程を解明し,量子ビットストレージと放射効率を向上させる。 t センターの $tx_{0}$ ライフタイムを 65% から 1.56 に延長した。 さらに、ゼロ分散波長に近づいた1312nm付近に$^*Cu_n^m$関連ダブルト発光が存在し、スピン縮退により0.5T以下で磁場誘起膨張が25%増加し、T中心を高忠実なスピン光子界面として置き換えることが可能となる。

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