論文の概要: Resolved Raman sideband cooling of a single optically trapped cesium atom

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2311.17494v2
• Date: Mon, 1 Jan 2024 01:40:35 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-01-03 01:00:50.550914
• Title: Resolved Raman sideband cooling of a single optically trapped cesium atom
• Title（参考訳）: 単一光学トラップされたセシウム原子のラマン側バンド冷却
• Authors: Zhuangzhuang Tian, Haobo Chang, Xin Lv, Mengna Yang, Zhihui Wang, Pengfei Yang, Pengfei Zhang, Gang Li, and Tiancai Zhang
• Abstract要約: 単一超微細状態における2つの最外ゼーマン準位の間の2光子ラマン過程を適用し、フォノン数を減少させる。 我々のスキームは一般的に使用されるスキームよりも磁場の変動に敏感ではない。 50msの冷却後、Cs原子の82%が3次元の基底状態を形成する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 22.585565798915038
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We developed a resolved Raman sideband cooling scheme that can efficiently prepare a single optically trapped cesium (Cs) atom in its motional ground states. A two-photon Raman process between two outermost Zeeman sublevels in a single hyperfine state is applied to reduce the phonon number. Our scheme is less sensitive to the variation in the magnetic field than the commonly used scheme where the two outermost Zeeman sublevels belonging to the two separate ground hyperfine states are taken. Fast optical pumping with less spontaneous emission guarantees the efficiency of the cooling process. After cooling for 50 ms, 82% of the Cs atoms populate their three-dimensional ground states. Our scheme improves the long-term stability of Raman sideband cooling in the presence of magnetic field drift and is thus suitable for cooling other trapped atoms or ions with abundant magnetic sublevels.
• Abstract（参考訳）: 我々は、光学的に閉じ込められたセシウム(Cs)原子をその運動基底状態に効率よく調製できる解決されたラマンサイドバンド冷却法を開発した。 フォノン数を減少させるために、2つの最外層ゼーマン準位の間の2光子ラマン過程を適用する。 本手法は2つの異なる基底超微粒子状態に属する2つの最外ゼーマン準位が取り込まれる一般的なスキームよりも磁場の変動に敏感ではない。 自然発光の少ない高速光ポンピングは冷却プロセスの効率を保証する。 50msの冷却後、Cs原子の82%が3次元の基底状態を形成する。 磁場ドリフトの存在下でのラマン側バンド冷却の長期安定性を向上し,磁気サブレベルが豊富な他の閉じ込められた原子やイオンを冷却するのに適している。

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