論文の概要: Room-Temperature Silicon Carbide Maser: Unveiling Quantum Amplification
and Cooling
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2312.08251v1
- Date: Wed, 13 Dec 2023 16:14:08 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-12-14 14:47:55.226198
- Title: Room-Temperature Silicon Carbide Maser: Unveiling Quantum Amplification
and Cooling
- Title(参考訳): 室温炭化ケイ素メーザー:量子増幅と冷却を披露
- Authors: Andreas Gottscholl, Maximilian Wagenh\"ofer, Valentin Baianov,
Vladimir Dyakonov, Andreas Sperlich
- Abstract要約: 4H炭化ケイ素(SiC)内におけるシリコン空孔(VSi)を利用したメーザーの最初の実演を行う。
本研究は, SiCのマイクロ波技術の革新的可能性を示すものである。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We present the very first demonstration of a maser utilizing silicon
vacancies (VSi) within 4H silicon carbide (SiC). Leveraging an innovative
feedback-loop technique, we elevate the resonator's quality factor, enabling
maser operation even above room temperature. The SiC maser's broad linewidth
showcases its potential as an exceptional preamplifier, displaying measured
gain surpassing 10dB and simulations indicating potential amplification
exceeding 30dB. By exploiting the relatively small zero-field splitting (ZFS)
of VSi in SiC, the amplifier can be switched into an optically-pumped microwave
photon absorber, reducing the resonator's mode temperature by 35 K below
operating conditions. This breakthrough holds promise for quantum computing
advancements and fundamental studies in cavity quantum electrodynamics. Our
findings highlight SiC's transformative potential in revolutionizing
contemporary microwave technologies.
- Abstract(参考訳): 4H炭化ケイ素 (SiC) 内におけるシリコン空孔(VSi)を利用したメーザーの最初の実演を行った。
革新的なフィードバックループ技術を利用して、共振器の品質係数を高め、室温以上でもメーザー動作を可能にする。
sicメーザーの幅広線幅は例外的な予増幅器としての可能性を示し、10dbを超える測定利得と30dbを超える増幅を示すシミュレーションを示す。
SiCのVSiの比較的小さなゼロフィールド分割(ZFS)を利用することで、増幅器は光ポンピングされたマイクロ波光子吸収器に切り替えることができ、動作条件下では共振器のモード温度を35K削減できる。
このブレークスルーは、量子コンピューティングの進歩とキャビティ量子電気力学の基礎研究に期待を持てる。
本研究は, SiCのマイクロ波技術の革新的可能性を示すものである。
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