論文の概要: Control of threshold voltages in Si/SiGe quantum devices via optical illumination

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2312.14011v2
• Date: Thu, 20 Jun 2024 14:01:23 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-06-22 05:58:16.068049
• Title: Control of threshold voltages in Si/SiGe quantum devices via optical illumination
• Title（参考訳）: 光照明によるSi/SiGe量子デバイスにおけるしきい値電圧の制御
• Authors: M. A. Wolfe, Brighton X. Coe, Justin S. Edwards, Tyler J. Kovach, Thomas McJunkin, Benjamin Harpt, D. E. Savage, M. G. Lagally, R. McDermott, Mark Friesen, Shimon Kolkowitz, M. A. Eriksson,
• Abstract要約: 印加ゲート電圧下での照明は、特定の安定かつ再現可能な閾値電圧を設定するのに利用できることを示す。 ゲートバイアスのチューナビリティのメカニズムを提供する,シンプルで直感的なモデルを提案する。 提示されたモデルは、不要な充電イベントの後、量子ドット量子ビットデバイスをリセットするのに低温照明が成功した理由についても説明している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Optical illumination of quantum-dot qubit devices at cryogenic temperatures, while not well studied, is often used to recover operating conditions after undesired shocking events or charge injection. Here, we demonstrate systematic threshold voltage shifts in a dopant-free, Si/SiGe field effect transistor using a near infrared (780 nm) laser diode. We find that illumination under an applied gate voltage can be used to set a specific, stable, and reproducible threshold voltage that, over a wide range in gate bias, is equal to that gate bias. Outside this range, the threshold voltage can still be tuned, although the resulting threshold voltage is no longer equal to the applied gate bias during illumination. We present a simple and intuitive model that provides a mechanism for the tunability in gate bias. The model presented also explains why cryogenic illumination is successful at resetting quantum dot qubit devices after undesired charging events.
• Abstract（参考訳）: 低温における量子ドット量子ビットデバイスの光照明は、あまり研究されていないが、望ましくない衝撃や電荷注入後の動作状態の回復にしばしば用いられる。 ここでは、近赤外(780nm)レーザーダイオードを用いたドパントフリーSi/SiGe電界効果トランジスタにおいて、系統的な閾値電圧シフトを示す。 印加ゲート電圧下での照明は、ゲートバイアスの広い範囲において、そのゲートバイアスに等しい特定の、安定かつ再現可能なしきい値電圧を設定するのに利用できる。 この範囲以外でも閾値電圧は調整できるが、その結果の閾値電圧は照明中に印加されたゲートバイアスに等しくない。 ゲートバイアスのチューナビリティのメカニズムを提供する,シンプルで直感的なモデルを提案する。 提示されたモデルは、不要な充電イベントの後、量子ドット量子ビットデバイスをリセットするのに低温照明が成功した理由についても説明している。

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