論文の概要: Reversal of Orbital Hall Conductivity and Emergence of Tunable
Topological Quantum States in Orbital Hall Insulator
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2312.14181v2
- Date: Thu, 22 Feb 2024 04:17:03 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-02-23 18:12:11.916860
- Title: Reversal of Orbital Hall Conductivity and Emergence of Tunable
Topological Quantum States in Orbital Hall Insulator
- Title(参考訳): オービタルホール絶縁体におけるオービタルホール導電率の逆転と可変トポロジカル量子状態の発生
- Authors: Shilei Ji, Chuye Quan, Ruijia Yao, Jianping Yang, Xing'ao Li
- Abstract要約: 最近の知見は、軌道角運動量(OAM)が固有軌道ホール効果(OHE)を誘導する能力を持っていることを示している。
我々は,k cdot p$モデルと第一原理計算を併用することにより,ひずみ工学による符号反転軌道チャーン数を実証する。
我々の研究は、OAMを持つ電子やホールが軌道に反する軌道を示し、軌道のホール伝導率が逆転することを明らかにする。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 1.124958340749622
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Recent findings indicate that orbital angular momentum (OAM) has the
capability to induce the intrinsic orbital Hall effect (OHE), which is
characterized by orbital Chern number in the orbital Hall insulator. Unlike the
spin-polarized channel in Quantum anomalous Hall insulator, the OAM is
valley-locked, posing challenges in manipulating the corresponding edge state.
Here we demonstrate the sign-reversal orbital Chern number through strain
engineering by combing the $k \cdot p$ model and first-principles calculation.
Under the manipulation of strain, we observe the transfer of non-zero OAM from
the valence band to the conduction band, aligning with the orbital contribution
in the electronic structure. Our investigation reveals that electrons and holes
with OAM exhibit opposing trajectories, resulting in a reversal of the orbital
Hall conductivity. Furthermore, we explore the topological quantum state
between the sign-reversible OHE.
- Abstract(参考訳): 最近の知見は、軌道角運動量(OAM)が、軌道ホール絶縁体における軌道チャーン数によって特徴づけられる固有軌道ホール効果(OHE)を誘導する能力を持っていることを示している。
量子異常ホール絶縁体のスピン偏極チャネルとは異なり、OAMはバレーロックされており、対応するエッジ状態を操作する上での課題となっている。
ここでは、yk \cdot p$モデルと第一原理計算を組み合わせることで、ひずみ工学を通して符号反転軌道チャーン数を示す。
ひずみの操作下では、電子構造における軌道寄与と整合して、原子価帯から伝導帯への非零OAMの移動を観察する。
我々は、OAMを持つ電子とホールが反対軌道を示し、軌道のホール伝導率が逆転することを明らかにした。
さらに,符号可逆 OHE 間の位相量子状態について検討する。
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