論文の概要: Characterization of individual charge fluctuators in Si/SiGe quantum dots

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2401.14541v1
• Date: Thu, 25 Jan 2024 22:19:19 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-01-29 16:25:14.762933
• Title: Characterization of individual charge fluctuators in Si/SiGe quantum dots
• Title（参考訳）: si/sige量子ドットにおける個々の電荷変動のキャラクタリゼーション
• Authors: Feiyang Ye, Ammar Ellaboudy, Dylan Albrecht, Rohith Vudatha, N. Tobias Jacobson, John M. Nichol
• Abstract要約: 簡単な量子ドット輸送測定により,Si/SiGe量子ドット内の各2レベル変動器(TLF)を探索する。 TLFスイッチング時間はゲート電圧に敏感に依存し、温度は低下し、近くの量子ドットを通した電流に依存する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.5658970628961091
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Electron spins in silicon quantum dots are excellent qubits due to their long coherence times, scalability, and compatibility with advanced semiconductor technology. Although high gate fidelities can be achieved with spin qubits, charge noise in the semiconductor environment still hinders further improvements. Despite the importance of charge noise, key questions about the specific nature of the fluctuators that cause charge noise remain unanswered. Here, we probe individual two-level fluctuators (TLFs) in Si/SiGe quantum dots through simple quantum-dot transport measurement and analyses based on the Allan variance and factorial hidden Markov modeling. We find that the TLF switching times depend sensitively on gate voltages, decrease with temperature, and depend on the current through a nearby quantum dot. A model for the data of the primary TLF we study indicates that it may be a bistable charge dipole near the plunger gate electrode, heated by current through the sensor dot, and experiencing state transitions driven not by direct electron-phonon coupling but through some other mechanism such as coupling to electrons passing through the sensor dot.
• Abstract（参考訳）: シリコン量子ドットの電子スピンは、長いコヒーレンス時間、スケーラビリティ、高度な半導体技術との互換性により優れた量子ビットである。 高ゲート密度はスピン量子ビットで達成できるが、半導体環境における電荷ノイズはさらなる改善を妨げる。 電荷ノイズの重要性にもかかわらず、電荷ノイズの原因となる変動体の性質に関する重要な疑問は未解決のままである。 ここでは,Si/SiGe量子ドット内の個々の2レベルゆらぎ(TLF)を簡易な量子ドット輸送測定により探索し,Allan分散と分解能隠れマルコフモデルに基づく解析を行う。 TLFスイッチング時間はゲート電圧に敏感に依存し、温度は低下し、近くの量子ドットを通した電流に依存する。 本研究では, 電極近傍のバイスタブル電荷双極子であり, センサドットを通した電流によって加熱され, 直接電子フォノンカップリングではなく, センサドットを通過する電子とのカップリングなどの他の機構によって駆動される状態遷移を経験することを示す。

関連論文リスト

• A dissipation-induced superradiant transition in a strontium cavity-QED system [0.0]
  キャビティ量子電磁力学(QED)では、エミッタと共振器が結合し、量子光-物質相互作用の精密な研究を可能にする。 ここでは、超低温8,8$Sr原子のアンサンブルを用いて、CRFモデルで予測される連続超ラジカル相転移の観測を行う。 我々の観測は、量子状態を生成するために予測された駆動散逸系のより細かい制御への第一歩である。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-08-20T18:00:00Z)
• Longitudinal (curvature) couplings of an $N$-level qudit to a superconducting resonator at the adiabatic limit and beyond [0.0]
  マルチレベルシステム(qudit)と超伝導(SC)共振器の電磁界との結合について検討する。 一般分散状態における長手多層相互作用を記述するハミルトニアンを初めて導いた。 異なる量子ビット系における断熱結合から分散結合への移行を例に挙げる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2023-12-05T20:33:59Z)
• Variational waveguide QED simulators [58.720142291102135]
  導波管QEDシミュレータは1次元フォトニックバンドギャップ材料と相互作用する量子エミッタによって構成される。 ここでは、これらの相互作用がより効率的な変分量子アルゴリズムを開発するためのリソースとなることを実証する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2023-02-03T18:55:08Z)
• Modelling semiconductor spin qubits and their charge noise environment for quantum gate fidelity estimation [0.9406493726662083]
  半導体量子ドットに閉じ込められた電子のスピンは量子ビット(量子ビット)の実装の有望な候補である。 本稿では、二重量子ドット(DQD)デバイスと荷電ノイズ環境のための共モデリングフレームワークを提案する。 量子ゲート誤差と量子ドット閉じ込めの逆相関を求める。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-10-10T10:12:54Z)
• Conveyor-mode single-electron shuttling in Si/SiGe for a scalable quantum computing architecture [0.0]
  Si/SiGe量子ドットに閉じ込められた単一電子によって定義される小さなスピン量子レジスタが正常に動作する。 レジスタ間で電子を運ぶ量子ビットをシャットダウンすることは、高忠実なコヒーレントリンクにとって自然な選択である。 我々のプリンシプルの証明は、静電気的に定義された420nmのSi/SiGe量子チャネルにおける伝播波電位による単一電子のシャットリングを示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-08-02T13:26:46Z)
• Demonstration of electron-nuclear decoupling at a spin clock transition [54.088309058031705]
  クロック遷移は磁気ノイズから分子スピン量子ビットを保護する。 核自由度への線形結合は、電子コヒーレンスの変調と崩壊を引き起こす。 核浴への量子情報漏洩がないことは、他のデコヒーレンス源を特徴づける機会を与える。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-06-09T16:23:47Z)
• Quantum Sensors for Microscopic Tunneling Systems [58.720142291102135]
  トンネル2層系(TLS)は超伝導量子ビットなどのマイクロファブリック量子デバイスにおいて重要である。 本稿では,薄膜として堆積した任意の材料に個々のTLSを特徴付ける手法を提案する。 提案手法は, トンネル欠陥の構造を解明するために, 量子材料分光の道を開く。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-11-29T09:57:50Z)
• Probing the coherence of solid-state qubits at avoided crossings [51.805457601192614]
  本研究では,核スピン浴と相互作用する常磁性欠陥の量子力学について検討した。 提案された理論的アプローチは、第一原理からスピン量子ビットのコヒーレンス特性を設計する方法を舗装する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-10-21T15:37:59Z)
• Spin shuttling in a silicon double quantum dot [0.0]
  2つの量子ドット間のスピンシャットリングの最小バージョンについて検討する。 不均一磁場におけるスピン軌道相互作用とゼーマン効果はスピンシャットリングにおいて重要な役割を果たす。 スピン不忠実度は1-F_slesssim 0.002$で、比較的高速なレベル速度は$alpha = 600, mu$eV/nsである。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-07-07T16:33:06Z)
• Circuit Quantum Electrodynamics [62.997667081978825]
  マクロレベルの量子力学的効果は、1980年代にジョセフソン接合型超伝導回路で初めて研究された。 過去20年間で、量子情報科学の出現は、これらの回路を量子情報プロセッサの量子ビットとして利用するための研究を強化してきた。 量子電磁力学(QED)の分野は、今では独立して繁栄する研究分野となっている。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-05-26T12:47:38Z)
• Entanglement generation via power-of-SWAP operations between dynamic electron-spin qubits [62.997667081978825]
  表面音響波(SAW)は、圧電材料内で動く量子ドットを生成することができる。 動的量子ドット上の電子スピン量子ビットがどのように絡み合うかを示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-01-15T19:00:01Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。