論文の概要: Inelastic electron-light scattering at dielectric thin films
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2405.11495v1
- Date: Sun, 19 May 2024 09:26:04 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-05-21 17:18:28.093127
- Title: Inelastic electron-light scattering at dielectric thin films
- Title（参考訳）: 誘電体薄膜における非弾性電子-光散乱
- Authors: Niklas Müller, Gerrit Vosse, Ferdinand Evers, Sascha Schäfer,
- Abstract要約: 照射されたナノ構造からの電子の非弾性散乱は、光学的近接場モードの構造とその個体群への直接的な実験的アクセスをもたらす。
ここでは、自由電子と光近接場との結合強度の完全な解析式を導出する。
電子ビーム,光,薄膜の相対角度を慎重に選択することにより,反射率などの光学材料特性を電子エネルギー分布に印加できることを実証する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 31.55220529061915
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: In a recently developed methodology termed photon induced near-field electron microscopy (PINEM), the inelastic scattering of electrons off illuminated nanostructures provides direct experimental access to the structure of optical near-field modes and their population. Whereas the inelastic scattering probability can be quantitatively linked to the near field distribution, analytical results for simple light scattering geometries are scarce. Here we derive a fully analytical expression for the coupling strength between free electrons and optical near-fields in planar geometries representing dielectric thin films. Contributions to the overall coupling from the electric field above, below and within the sample are analyzed in detail. By carefully choosing the relative angles between electron beam, light and thin film and by accounting for a broad spectrum of photon energies, we demonstrate that one can imprint optical material properties like the reflectivity onto the electron energy distribution.
- Abstract（参考訳）: 最近開発された光子誘導近接電顕法(PINEM)では、照射されたナノ構造からの電子の非弾性散乱は、光近接電場モードの構造とその個体群への直接的な実験的アクセスを提供する。
非弾性散乱確率は近接場分布に定量的に関連付けることができるが、単純な光散乱ジオメトリーの解析結果は少ない。
ここでは、誘電体薄膜を表す平面幾何学における自由電子と光近接場との結合強度の完全な解析式を導出する。
上記の電場から試料内および試料内における全体的なカップリングへの寄与を詳細に分析する。
電子ビーム, 光, 薄膜間の相対角を慎重に選択し, 光子エネルギーの広いスペクトルを考慮し, 反射率などの光学材料特性を電子エネルギー分布に印加できることを実証した。
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