論文の概要: Hexagonal boron nitride based photonic quantum technologies
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2407.11754v1
- Date: Tue, 16 Jul 2024 14:17:50 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-07-17 14:42:40.494951
- Title: Hexagonal boron nitride based photonic quantum technologies
- Title（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素系フォトニック量子技術
- Authors: Madhava Krishna Prasad, Mike P. C. Taverne, Chung-Che Huang, Jonathan D. Mar, Ying-Lung Daniel Ho,
- Abstract要約: 本稿では, 六方晶窒化ホウ素の構造, 性質, 成長, 転移について概説する。
本研究の目的は、六方晶窒化ホウ素系フォトニック量子技術における欠陥工学とデバイス製造の進展の要約を提供することである。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Hexagonal boron nitride is rapidly gaining interest as a platform for photonic quantum technologies, due to its two-dimensional nature and its ability to host defects deep within its large band gap that may act as room-temperature single-photon emitters. In this review paper we provide an overview of (1) the structure, properties, growth and transfer of hexagonal boron nitride; (2) the creation and assignment of colour centres in hexagonal boron nitride for applications in photonic quantum technologies; and (3) heterostructure devices for the electrical tuning and charge control of colour centres that form the basis for photonic quantum technology devices. The aim of this review is to provide readers a summary of progress in both defect engineering and device fabrication in hexagonal boron nitride based photonic quantum technologies.
- Abstract（参考訳）: 六方晶窒化ホウ素は、その2次元の性質と室温単一光子放出体として作用する大きなバンドギャップの奥深くに欠陥を宿る能力により、フォトニック量子技術のプラットフォームとして急速に関心を集めている。
本稿では,(1)六方晶窒化ホウ素の構造,性質,成長,転移,(2)六方晶窒化ホウ素の光量子技術への応用のための色中心の生成と割り当て,(3)フォトニック量子技術の基盤となる色中心の電気的チューニングと電荷制御のためのヘテロ構造デバイスについて概説する。
本研究の目的は、六方晶窒化ホウ素系フォトニック量子技術における欠陥工学とデバイス製造の進展の要約を提供することである。
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