論文の概要: Local analysis of a single impurity on a graphene Josephson Junction

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2407.20940v1
• Date: Tue, 30 Jul 2024 16:21:34 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-07-31 16:40:36.022106
• Title: Local analysis of a single impurity on a graphene Josephson Junction
• Title（参考訳）: グラフェンジョセフソン接合上の単一不純物の局所解析
• Authors: Ignazio Vacante, Francesco M. D. Pellegrino, Giuseppe Falci, Elisabetta Paladino,
• Abstract要約: 本研究では,短距離不純物が短距離グラフェンジョセフソン接合の電子系に及ぼす影響について検討する。 Dirac-Bogoliubov-De Gennes 法では局所密度状態を分析し,その部分ギャップエネルギー依存性により弾性散乱過程と非弾性散乱過程の区別が可能となる。 状態の局所密度の空間的依存性は、サブギャップ不純物誘起境界状態をもたらす顕微鏡過程の感度プローブであることが観察された。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: In this work, we investigate the local effects of a single short-range impurity on the electron system of a short ballistic graphene Josephson Junction. Within the Dirac-Bogoliubov-De Gennes approach, we systematically analyze the local density states, whose subgap energy dependence enables us to distinguish between elastic and inelastic scattering processes and identify the magnetic nature of the impurity. Furthermore, we observe that the spatial dependence of the local density of states is a sensitive probe of the microscopic processes resulting in subgap impurity-induced bound states. The Fourier analysis evidences the wavevectors related to the momenta of the high transmissive channels in ballistic graphene.
• Abstract（参考訳）: 本研究では,短距離不純物が短距離グラフェンジョセフソン接合の電子系に及ぼす影響について検討する。 Dirac-Bogoliubov-De Gennes 法では局所密度状態を系統的に解析し,その部分ギャップエネルギー依存性により弾性散乱過程と非弾性散乱過程を識別し,不純物の磁気的性質を同定する。 さらに、状態の局所密度の空間的依存性は、サブギャップ不純物誘起境界状態をもたらす顕微鏡過程の感度プローブであることが観察された。 フーリエ解析は、グラフェンの高透過チャネルのモータに関連する波動ベクトルを証明している。

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