論文の概要: Photoactivation of color centers induced by laser irradiation in ion-implanted diamond
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2409.06359v1
- Date: Tue, 10 Sep 2024 09:29:18 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-09-11 18:19:52.474486
- Title: Photoactivation of color centers induced by laser irradiation in ion-implanted diamond
- Title（参考訳）: レーザー照射によるダイヤモンドの発色中心の光活性化
- Authors: V. Pugliese, E. Nieto Hernández, E. Corte, M. Govoni, S. Ditalia Tchernij, P. Olivero, J. Forneris,
- Abstract要約: ダイヤモンド中のスプリット空白の色中心は、フォトニック量子技術の実装に有望なプラットフォームである。
技術の取り込みには、局所化された個々の光子エミッタの制御された大規模生産のための信頼性の高い方法が必要とされる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Split-vacancy color centers in diamond are promising solid state platforms for the implementation of photonic quantum technologies. These luminescent defects are commonly fabricated upon low energy ion implantation and subsequent thermal annealing. Their technological uptake will require the availability of reliable methods for the controlled, large scale production of localized individual photon emitters. This task is partially achieved by controlled ion implantation to introduce selected impurities in the host material, and requires the development of challenging beam focusing or collimation procedures coupled with single-ion detection techniques. We report on protocol for the direct optical activation of split-vacancy color centers in diamond via localized processing with continuous wave laser at mW optical powers. We demonstrate the activation of photoluminescent Mg- and Sn-related centers at both the ensemble and single-photon emitter level in ion-implanted, high-purity diamond crystals without further thermal processing. The proposed lithographic method enables the activation of individual color centers at specific positions of a large area sample by means of a relatively inexpensive equipment offering the real-time, in situ monitoring of the process.
- Abstract（参考訳）: ダイヤモンド中のスプリット空調色中心は、フォトニック量子技術の実装のための固体プラットフォームを約束している。
これらの発光欠陥は、一般的に低エネルギーイオン注入とその後の熱アニールによって作られる。
その技術的取り込みには、局所化された個々の光子エミッタの制御された大規模生産のための信頼性の高い方法が必要とされる。
この課題は、ホスト材料に選択された不純物を導入するために、制御されたイオン注入によって部分的に達成され、単一イオン検出技術と組み合わさったビーム集束法やコリメーション法の開発が必要である。
我々は,mW光出力における連続波レーザーによる局所処理によるダイヤモンド中のスプリット空白色中心の直接的光活性化のプロトコルについて報告する。
イオン注入高純度ダイヤモンド結晶における発光Mg-およびSn関連中心のアンサンブルおよび単一光子エミッタレベルの活性化を熱処理なしで実証した。
提案したリソグラフィー法は, 実時間その場監視を行う比較的安価な装置を用いて, 大規模試料の特定位置における個々の色中心の活性化を可能にする。
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