論文の概要: Element-specific, non-destructive profiling of layered heterostructures
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2410.00241v2
- Date: Wed, 2 Oct 2024 14:32:39 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-11-05 06:46:17.152279
- Title: Element-specific, non-destructive profiling of layered heterostructures
- Title（参考訳）: 層状ヘテロ構造の元素特異的非破壊プロファイリング
- Authors: Nicolò D'Anna, Jamie Bragg, Elizabeth Skoropata, Nazareth Ortiz Hernández, Aidan G. McConnell, Maël Clémence, Hiroki Ueda, Procopios C. Constantinou, Kieran Spruce, Taylor J. Z. Stock, Sarah Fearn, Steven R. Schofield, Neil J. Curson, Dario Ferreira Sanchez, Daniel Grolimund, Urs Staub, Guy Matmon, Simon Gerber, Gabriel Aeppli,
- Abstract要約: 半導体ヘテロ構造の作製は非常に正確であるため、メトロロジーは科学や応用の進歩の鍵となる課題となっている。
共振コントラストX線反射率計がこの課題にどのように対応しているかを示す理論と実験を示す。
シリコン中の単一ヒ素$delta$-layerに対する元素選択非破壊プロファイロメトリーの有用性を示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Abstract: Fabrication of semiconductor heterostructures is now so precise that metrology has become a key challenge for progress in science and applications. It is now relatively straightforward to characterize classic III-V and group IV heterostructures consisting of slabs of different semiconductor alloys with thicknesses of $\sim$5 nm and greater using sophisticated tools such as X-ray diffraction, high energy X-ray photoemission spectroscopy, and secondary ion mass spectrometry. However, profiling thin layers with nm or sub-nm thickness, e.g. atomically thin dopant layers ($\delta$-layers), of impurities required for modulation doping and spin-based quantum and classical information technologies is more challenging. Here, we present theory and experiment showing how resonant-contrast X-ray reflectometry meets this challenge. The technique takes advantage of the change in the scattering factor of atoms as their core level resonances are scanned by varying the X-ray energy. We demonstrate the capability of the resulting element-selective, non-destructive profilometry for single arsenic $\delta$-layers within silicon, and show that the sub-nm electronic thickness of the $\delta$-layers corresponds to sub-nm chemical thickness. In combination with X-ray fluorescence imaging, this enables non-destructive three-dimensional characterization of nano-structured quantum devices. Due to the strong resonances at soft X-ray wavelengths, the technique is also ideally suited to characterize layered quantum materials, such as cuprates or the topical infinite-layer nickelates.
- Abstract（参考訳）: 半導体ヘテロ構造の作製は非常に正確であるため、メトロロジーは科学や応用の進歩の鍵となる課題となっている。
現在、X線回折、高エネルギーX線光電子分光法、二次イオン質量分析法などの高度なツールを用いて、厚さが$\sim$5 nm以上の異なる半導体合金のスラブからなる古典III-VおよびIV族ヘテロ構造を特徴付けることは比較的容易である。
しかし、変調ドーピングやスピンベースの量子および古典的情報技術に必要な不純物、例えば原子的に薄いドーパント層(\delta$-layers)で薄い層をプロファイリングすることはより困難である。
本稿では、共振コントラストX線反射率計がこの課題にどのように対応しているかを示す理論と実験を示す。
この技術は、原子の散乱率の変化を利用して、核レベルの共鳴がX線エネルギーの変化によってスキャンされる。
シリコン中の1つのヒ素$\delta$-layerに対する元素選択非破壊プロファイロメトリーの能力を示し、$\delta$-layersのサブnm電子厚がサブnm化学厚に対応することを示した。
蛍光X線イメージングと組み合わせることで、ナノ構造量子デバイスの非破壊的な3次元キャラクタリゼーションが可能になる。
ソフトなX線波長での強い共鳴のため、この技術はカップレートや局所的な無限層ニッケル酸塩などの層状量子材料の特徴付けにも適している。
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