Fugu-MT 論文翻訳(概要): Giant Rabi frequencies between qubit and excited hole states in silicon quantum dots

論文の概要: Giant Rabi frequencies between qubit and excited hole states in silicon quantum dots

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.05526v2
Date: Tue, 04 Mar 2025 13:22:34 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2025-03-05 19:09:28.533112
Title: Giant Rabi frequencies between qubit and excited hole states in silicon quantum dots
Title（参考訳）: シリコン量子ドットにおける量子ビットと励起孔状態の間の巨大ラビ周波数
Authors: E. Fanucchi, G. Forghieri, A. Secchi, P. Bordone, F. Troiani,
Abstract要約: その結果, 最低励起状態を含む遷移は, 地上の2重項よりも数桁大きいRabi周波数を示すことがわかった。固有状態の対称性との明確な関係が出現し、応用バイアスによるラビ周波数の広い調整性も現れる。
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Abstract: Holes in Si quantum dots are being investigated for the implementation of electrically addressable spin qubits. In this perspective, the attention has been focused on the electric-field induced transitions between the eigenstates belonging to the ground doublet. Here we theoretically extend the analysis to the first excited doublet. We show that - in a prototypical quantum dot structure - transitions involving the lowest excited states display Rabi frequencies that are several orders of magnitude larger than those occurring in the ground doublet. A clear relation with the symmetries of the eigenstates emerges, as well as a wide tunability of the Rabi frequencies by means of the applied bias. A preliminary discussion on the possible implications of the present results for multilevel manipulation schemes and for multi-hole qubit encodings is provided.
Abstract（参考訳）: Si量子ドットのホールは、電気的に対応可能なスピン量子ビットの実装のために研究されている。この観点では、地中二重項に属する固有状態間の電場誘起遷移に注意が向けられている。ここでは、理論的に解析を第1の励起ダブレットまで拡張する。原型量子ドット構造において、最低励起状態を含む遷移は、基底ダブルトで発生するものよりも数桁大きいラビ周波数を示す。固有状態の対称性との明確な関係が出現し、応用バイアスによるラビ周波数の広い調整性も現れる。マルチレベル演算方式とマルチホール量子ビット符号化のための提案手法の有効性に関する予備的検討を行った。

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