論文の概要: Engineering high-Q superconducting tantalum microwave coplanar waveguide resonators for compact coherent quantum circuits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2412.16099v1
- Date: Fri, 20 Dec 2024 17:41:59 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-12-23 19:50:51.822330
- Title: Engineering high-Q superconducting tantalum microwave coplanar waveguide resonators for compact coherent quantum circuits
- Title(参考訳): 小型コヒーレント量子回路用高温超伝導タンタルマイクロ波導波路共振器
- Authors: Shima Poorgholam-Khanjari, Valentino Seferai, Paniz Foshat, Calum Rose, Hua Feng, Robert H. Hadfield, Martin Weides, Kaveh Delfanazari,
- Abstract要約: タンタル(Ta)は、堅牢な超伝導量子回路の製造において大きな注目を集めている。
Taはアルミニウム (Al) やニオブ (Nb) と比較してマイクロ波損失が低く、運動性インダクタンスが高い。
超伝導マイクロ波コプラナー導波路共振器の厚み依存型高品質係数(高Q_i)Taの作製を実証した。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.301138495170623
- License:
- Abstract: Tantalum (Ta) has recently received considerable attention in manufacturing robust superconducting quantum circuits. Ta offers low microwave loss, high kinetic inductance compared to aluminium (Al) and niobium (Nb), and good compatibility with complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology, which is essential for quantum computing applications. Here, we demonstrate the fabrication engineering of thickness-dependent high quality factor (high-Q_i) Ta superconducting microwave coplanar waveguide resonators. All films are deposited on high-resistivity silicon substrates at room temperature without additional substrate heating. Before Ta deposition, a niobium (Nb) seed layer is used to ensure a body-centred cubic lattice ({\alpha}-Ta) formation. We further engineer the kinetic inductance (L_K) resonators by varying Ta film thicknesses. High L_K is a key advantage for applications because it facilitates the realisation of high-impedance, compact quantum circuits with enhanced coupling to qubits. The maximum internal quality factor Q_i of ~ 3.6 * 10^6 is achieved at the high power regime for 100 nm Ta, while the highest kinetic inductance is obtained to be 0.6 pH/sq for the thinnest film, which is 40 nm. This combination of high Q_i and high L_K highlights the potential of Ta microwave circuits for high-fidelity operations of compact quantum circuits.
- Abstract(参考訳): タンタル(Ta)は最近、堅牢な超伝導量子回路の製造にかなりの注目を集めている。
Taは、低マイクロ波損失、アルミニウム(Al)やニオブ(Nb)と比較して高い運動インダクタンス、および量子コンピューティングアプリケーションに不可欠な相補的金属酸化物半導体(CMOS)技術との良好な互換性を提供する。
ここでは,超伝導マイクロ波コプラナー導波路共振器の厚み依存型高品質係数(高Q_i)Taの製作技術を紹介する。
すべての膜は、高比抵抗シリコン基板上に、追加の基板加熱なしで室温で堆積する。
Ta析出の前には、ニオブ(Nb)シード層を用いて、体中心立方体格子({\alpha}-Ta)の形成を確実にする。
さらに,Ta膜厚の変化による振動インダクタンス (L_K) 共振器の試作を行った。
高L_Kは、量子ビットへの結合性を高めた高インピーダンスでコンパクトな量子回路の実現を容易にするため、アプリケーションにとって重要な利点である。
最大内部品質係数Q_i〜3.6×10^6は100nmTaの高出力状態で達成され、最も高い速度インダクタンスは40nmの薄膜に対して0.6pH/sqとなる。
この高Q_iと高L_Kの組み合わせは、コンパクト量子回路の高忠実性演算のためのTaマイクロ波回路の可能性を強調している。
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