論文の概要: Theory of Valley Splitting in Si/SiGe Spin-Qubits: Interplay of Strain, Resonances and Random Alloy Disorder
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2412.20618v1
- Date: Sun, 29 Dec 2024 23:43:41 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-12-31 16:04:02.840232
- Title: Theory of Valley Splitting in Si/SiGe Spin-Qubits: Interplay of Strain, Resonances and Random Alloy Disorder
- Title(参考訳): Si/SiGeスピンクビットにおける谷分割の理論:ひずみ・共鳴・ランダム合金障害の相互作用
- Authors: Abel Thayil, Lasse Ermoneit, Markus Kantner,
- Abstract要約: 歪んだSi/SiGe量子井戸における重要な課題は、伝導帯の最小値に2つのほとんど退化した谷の状態が存在することである。
経験的擬ポテンシャル法による包括的包絡関数理論を開発し, 合金障害, ひずみ, 非自明共鳴の影響を取り入れた。
このフレームワークは、谷分割におけるこれらの効果の相互作用を定量化するための効率的なツールを提供し、複雑なエピタキシャルプロファイルの最適化を可能にする。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
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- Abstract: Electron spin-qubits in silicon-germanium (SiGe) heterostructures are a major candidate for the realization of scalable quantum computers. A critical challenge in strained Si/SiGe quantum wells (QWs) is the existence of two nearly degenerate valley states at the conduction band minimum that can lead to leakage of quantum information. To address this issue, various strategies have been explored to enhance the valley splitting (i.e., the energy gap between the two low-energy conduction band minima), such as sharp interfaces, oscillating germanium concentrations in the QW and shear strain engineering. In this work, we develop a comprehensive envelope-function theory augmented by the empirical pseudopotential method to incorporate the effects of alloy disorder, strain, and non-trivial resonances arising from interaction between valley states across different Brillouin zones. We apply our model to analyze common epitaxial profiles studied in the literature and compare our results with previous work. This framework provides an efficient tool for quantifying the interplay of these effects on the valley splitting, enabling complex epitaxial profile optimization in future work.
- Abstract(参考訳): シリコンゲルマニウム(SiGe)ヘテロ構造中の電子スピン量子ビットは、スケーラブルな量子コンピュータの実現の主要な候補である。
歪んだSi/SiGe量子井戸(QWs)における重要な課題は、2つのほぼ退化した谷の状態が伝導帯の最小値に存在し、量子情報の漏洩につながることである。
この問題に対処するために、鋭い界面、QW中のゲルマニウム濃度の振動、およびせん断ひずみ工学などの谷分割(低エネルギー導電バンドの2つのミニマ間のエネルギーギャップ)を強化するための様々な戦略が検討されている。
本研究では,ブリュアン帯の谷間相互作用から生じる合金障害,ひずみ,非自明共鳴の影響を,経験的擬ポテンシャル法により拡張した包括的包絡関数理論を開発した。
本モデルを用いて,本論文で研究されている一般的なエピタキシャルプロファイルを解析し,その結果と過去の研究との比較を行った。
このフレームワークは、谷分割におけるこれらの効果の相互作用を定量化するための効率的なツールを提供し、将来の作業において複雑なエピタキシャルプロファイルの最適化を可能にする。
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