論文の概要: Detuning Axis Pulsed Spectroscopy of Valley-Orbital States in Si/SiGe Quantum Dots

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2010.04818v2
• Date: Fri, 26 Feb 2021 22:26:06 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-29 13:10:47.565169
• Title: Detuning Axis Pulsed Spectroscopy of Valley-Orbital States in Si/SiGe Quantum Dots
• Title（参考訳）: Si/SiGe量子ドットにおけるバレー軌道状態の偏向軸パルス分光
• Authors: Edward H. Chen, Kate Raach, Andrew Pan, Andrey A. Kiselev, Edwin Acuna, Jacob Z. Blumoff, Teresa Brecht, Maxwell Choi, Wonill Ha, Daniel Hulbert, Michael P. Jura, Tyler Keating, Ramsey Noah, Bo Sun, Bryan J. Thomas, Matthew Borselli, C.A.C. Jackson, Matthew T. Rakher, Richard S. Ross
• Abstract要約: 標準ベースバンドパルス法によるSi/SiGe二重量子ドットの励起状態の探索法について述べる。 この方法を用いて、複数のウェハ、量子ドット、軌道状態にまたがる数十の谷励起状態エネルギーを測定する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.5593385806424123
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Silicon quantum dot qubits must contend with low-lying valley excited states which are sensitive functions of the quantum well heterostructure and disorder; quantifying and maximizing the energies of these states are critical to improving device performance. We describe a spectroscopic method for probing excited states in isolated Si/SiGe double quantum dots using standard baseband pulsing techniques, easing the extraction of energy spectra in multiple-dot devices. We use this method to measure dozens of valley excited state energies spanning multiple wafers, quantum dots, and orbital states, crucial for evaluating the dependence of valley splitting on quantum well width and other epitaxial conditions. Our results suggest that narrower wells can be beneficial for improving valley splittings, but this effect can be confounded by variations in growth and fabrication conditions. These results underscore the importance of valley splitting measurements for guiding the development of Si qubits.
• Abstract（参考訳）: シリコン量子ドット量子ビットは、量子井戸のヘテロ構造と無秩序の敏感な関数である低次バレー励起状態と競合する必要があり、これらの状態のエネルギーを定量化し最大化することがデバイス性能を改善する上で重要である。 標準ベースバンドパルス法を用いて、孤立si/sige二重量子ドットの励起状態を検出する分光学的手法を提案し、マルチドットデバイスにおけるエネルギースペクトルの抽出を容易にする。 この方法を用いて、複数のウェハ、量子ドット、軌道状態にまたがる数十の谷励起状態エネルギーを測定し、量子井戸幅や他のエピタキシャル条件に対する谷分割の依存性を評価する。 以上の結果から,谷の裂け目の改善には井戸の狭さが有効であることが示唆されたが,この効果は生育条件や造成条件の変動によって両立できる。 これらの結果は,Si量子ビットの開発を導くために谷分割測定の重要性を浮き彫りにした。

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