Fugu-MT 論文翻訳(概要): Strain-enabled control of the vanadium qudit in silicon carbide

論文の概要: Strain-enabled control of the vanadium qudit in silicon carbide

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2501.05896v1
Date: Fri, 10 Jan 2025 11:47:28 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2025-01-13 15:27:07.493129
Title: Strain-enabled control of the vanadium qudit in silicon carbide
Title（参考訳）: 炭化ケイ素中のバナジウムキュイトのひずみ制御
Authors: Philipp Koller, Thomas Astner, Benedikt Tissot, Guido Burkard, Michael Trupke,
Abstract要約: 炭化ケイ素中のバナジウムは、通信領域の光遷移を持つ有望なスピン光子界面候補である。ひずみを含む理論モデルを用いて、正確に記述された、未報告の幅広い遷移が観察される。これらの知見は、歪み工学とセンシング、およびフォールトトレラントなQuditエンコーディング周波数に対する欠陥の可能性をさらに浮き彫りにした。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License:
Abstract: Vanadium in silicon carbide is a promising spin photon interface candidate with optical transitions in the telecom range and a long lived electron spin, hosted in an advanced semiconductor platform. In this detailed investigation of the defect's 16-dimensional ground state spin manifold at millikelvin temperatures, a wide range of previously unreported transitions are observed which are accurately described using a theoretical model that includes strain. Using a superconducting microcoil we achieve Rabi frequencies exceeding 20 MHz and perform the first coherent manipulation of a direct hyperfine transition. These insights further underscore the defect's potential for strain engineering and sensing, as well as for fault-tolerant qudit encoding.
Abstract（参考訳）: 炭化ケイ素のバナジウム(Vanadium in Silicon Carbide)は、通信領域における光遷移と、高度な半導体プラットフォームでホストされる長寿命電子スピンを持つ、有望なスピン光子界面候補である。ミリケルビン温度における欠陥の16次元基底状態スピン多様体の詳細な研究において, ひずみを含む理論モデルを用いて, 従来報告されていなかった幅広い遷移を正確に記述した。超伝導マイクロコイルを用いて、20MHzを超えるRabi周波数を実現し、直接超微粒子遷移のコヒーレントな最初の操作を行う。これらの知見は、フォールトトレラントなquditエンコーディングと同様に、歪み工学とセンシングに対する欠陥の可能性をさらに浮き彫りにした。

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