論文の概要: Anisotropic resonance energy transfer with strained phosphorene

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2502.07121v1
• Date: Mon, 10 Feb 2025 23:26:32 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-02-12 14:05:54.384122
• Title: Anisotropic resonance energy transfer with strained phosphorene
• Title（参考訳）: ひずみホスホエンによる異方性共鳴エネルギー伝達
• Authors: J. Oliveira-Cony, C. Farina, P. P. Abrantes, Tarik P. Cysne,
• Abstract要約: 一軸ひずみの影響下で, 蛍光体/SiC界面近傍の量子エミッタ間の共振エネルギー伝達(RET)速度を解析した。 ホスホレンの異方性電子構造により,RET速度はQEが分離される方向に大きく依存することが示された。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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• Abstract: We analyze the resonance energy transfer (RET) rate between quantum emitters (QEs) near a phosphorene/SiC interface under the effects of uniaxial strain. Using a low-energy tight-binding model, we describe the electronic structure of strained phosphorene in an experimentally feasible situation. Due to the anisotropic electronic structure of phosphorene, we demonstrate that the RET rate drastically depends on the direction in which the QEs are separated relative to the phosphorene lattice. More specifically, we obtain a large variation in the RET rate when the QEs are separated along the zigzag direction, in contrast to a rather small variation when separated along the armchair direction of phosphorene's crystalline structure. Furthermore, our results reveal that the RET rate can be highly modulated by uniaxial strain in phosphorene when considering emitters placed along the zigzag direction. Finally, by means of a simple toy model, we also show that this anisotropy in the RET rate is a general characteristic produced by anisotropic 2D materials.
• Abstract（参考訳）: 一軸ひずみの影響下で, リン/SiC界面近傍の量子エミッタ(QE)間の共鳴エネルギー伝達(RET)速度を解析した。 低エネルギー強結合モデルを用いて, ひずみしたホスホレンの電子構造を実験的に実現可能な状況で記述する。 ホスホレンの異方性電子構造のため,RET速度は, フォスホレン格子に対してQEsが分離される方向に大きく依存することを示した。 より具体的には,QEsがジグザグ方向に沿って分離された場合のRET速度の変動は,リンの結晶構造のアームチェア方向に沿って分離された場合の比較的小さな変化とは対照的である。 さらに, ジグザグ方向に沿って配置したエミッタを考慮した場合, RET速度はリンの1軸ひずみにより高変調可能であることを明らかにした。 最後に、単純な玩具モデルを用いて、RET速度におけるこの異方性は、異方性2D材料によって生じる一般的な特性であることを示す。

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