Fugu-MT 論文翻訳(概要): Intersubband optical absorption in the GaN/AlN qunatum wire with donor-doping

論文の概要: Intersubband optical absorption in the GaN/AlN qunatum wire with donor-doping

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2503.07815v1
Date: Mon, 10 Mar 2025 19:58:24 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2025-03-12 15:38:50.332400
Title: Intersubband optical absorption in the GaN/AlN qunatum wire with donor-doping
Title（参考訳）: ドナードーピングによるGaN/AlN量子線中のサブバンド間光吸収
Authors: Sami Ortakaya,
Abstract要約: 本研究は,QWRとQDの光学特性を包括的に解析することにより,GaN/AlNヘテロ構造を理解することを促進する。その結果、半導体ナノ構造が光電子装置の光学特性に与える影響の明確な証拠が得られた。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License:
Abstract: In this study, we investigate the optical absorption within the conduction-subbands of a cylindrical GaN/AlN quantum wire. We analyze the optical absorption rate and the real part of the dielectric function for both quantum wire (QWR) and quantum dot (QD) structures in the presence of donor-impurity states. The results cover that the density of states associated with free motion in the QWR structure leads to a lower optical absorption compared to the QDs, as evidenced by the optical spectra. This study advances the understanding of GaN/AlN heterostructures by offering a comprehensive analysis of the optical properties of QWRs and QDs, especially under donor-doping situation. As a result, the outcomes provide a clear evidence of the effect of semiconductor nanostructures on the optical properties of optoelectronic devices.
Abstract（参考訳）: 本研究では,円筒型GaN/AlN量子ワイヤの導電サブバンド内における光吸収について検討した。ドナー不純物状態の存在下で、量子ワイヤ(QWR)と量子ドット(QD)の構造の光吸収率と誘電関数の実部を解析する。結果は、QWR構造における自由運動に関連する状態の密度が、光学スペクトルによって証明されるように、QDよりも低い光吸収をもたらすことをカバーしている。本研究は,特にドナードーピング条件下でのQWRとQDの光学特性を包括的に解析することにより,GaN/AlNヘテロ構造を理解することを促進する。その結果、半導体ナノ構造が光電子装置の光学特性に与える影響の明確な証拠が得られた。

関連論文リスト

Phonon-Induced Effects in Quantum Dot Absorption and Resonance Fluorescence with Hierarchy of Pure States [0.0]
超音速スペクトル密度で振動環境に結合し、漏れキャビティモードに弱い量子ドット(QD)システムについて検討する。フォノンカップリングは吸収線形状と放出線形状を劣化させ、一方、弱い結合キャビティモードはQDを効果的に駆動する。本研究では, 強いフォノンカップリング強度と有限温度での吸収スペクトルと, 異なるフォノンカップリング強度と温度での共鳴蛍光スペクトルについて数値計算を行った。
論文参考訳（メタデータ） (2024-12-29T22:05:16Z)
Coherent spectroscopy of a single Mn-doped InGaAs quantum dot [0.0]
自己集合したInGaAs/GaAs量子ドットを1つのMn原子でドーピングすると、離散エネルギーレベルとスピン依存光学選択規則を持つ量子系が得られる。我々は、V様系における量子干渉の証拠を示し、対応するスピン状態間の純粋な劣化速度を評価する。
論文参考訳（メタデータ） (2024-10-25T13:03:40Z)
Silicon nitride waveguides with intrinsic single-photon emitters for integrated quantum photonics [97.5153823429076]
我々は、SiN中の固有の単一光子放射体から、同じ物質からなるモノリシック集積導波路への光子の最初のカップリングに成功したことを示す。その結果、スケーラブルでテクノロジー対応の量子フォトニック集積回路の実現に向けた道を開いた。
論文参考訳（メタデータ） (2022-05-17T16:51:29Z)
Fine structure splitting analysis of cavity-enhanced telecom-wavelength InAs quantum dots grown on a GaAs(111)A vicinal substrate [0.0]
絡み合った光は、自然に低い微細構造を分割した固体量子エミッタによって生成される。光学キャビティ内における通信波長 InAs QDs の液滴エピタキシーをシチナル (2degミスカット) GaAs(111)A基板上に提示する。
論文参考訳（メタデータ） (2022-02-23T11:28:52Z)
Photoneutralization of charges in GaAs quantum dot based entangled photon emitters [0.923921787880063]
量子ドット近傍の自由電子とホールのバランスを制御することにより、発光焼成を積極的に抑制できることを示す。量子ドット近傍の自由電子とホールのバランスを制御することにより、発光焼成を積極的に抑制できることを示す。
論文参考訳（メタデータ） (2021-10-05T20:25:52Z)
Phonon dephasing and spectral diffusion of quantum emitters in hexagonal Boron Nitride [52.915502553459724]
六方晶窒化ホウ素(hBN)の量子放出体は、量子光学への応用のために、明るく頑健な単一光子の源として出現している。低温における共鳴励起分光法によるhBN中の量子エミッタのフォノン脱落とスペクトル拡散について検討した。
論文参考訳（メタデータ） (2021-05-25T05:56:18Z)
Waveguide quantum electrodynamics: collective radiance and photon-photon correlations [151.77380156599398]
量子電磁力学は、導波路で伝播する光子と局在量子エミッタとの相互作用を扱う。我々は、誘導光子と順序配列に焦点をあて、超放射および準放射状態、束縛光子状態、および有望な量子情報アプリケーションとの量子相関をもたらす。
論文参考訳（メタデータ） (2021-03-11T17:49:52Z)
Quantum Sensors for Microscopic Tunneling Systems [58.720142291102135]
トンネル2層系(TLS)は超伝導量子ビットなどのマイクロファブリック量子デバイスにおいて重要である。本稿では,薄膜として堆積した任意の材料に個々のTLSを特徴付ける手法を提案する。提案手法は, トンネル欠陥の構造を解明するために, 量子材料分光の道を開く。
論文参考訳（メタデータ） (2020-11-29T09:57:50Z)
Directional emission of down-converted photons from a dielectric nano-resonator [55.41644538483948]
自然パラメトリックダウン変換過程における光子対の生成を理論的に記述する。非線形カーカー型効果を利用して高方向性光子対生成を観測できることを明らかにする。
論文参考訳（メタデータ） (2020-11-16T10:30:04Z)
Optical repumping of resonantly excited quantum emitters in hexagonal boron nitride [52.77024349608834]
六方晶窒化ホウ素(hBN)の量子エミッタからの発光を増幅するために、弱い非共鳴レーザーを用いて暗黒状態への遷移を低減し、光発光を増幅する光共振方式を提案する。この結果は、量子フォトニクスアプリケーションのための信頼性の高いビルディングブロックとしてhBNに原子様欠陥を配置する上で重要である。
論文参考訳（メタデータ） (2020-09-11T10:15:22Z)
Surface-passivated high-Q GaAs photonic crystal nanocavity with quantum dots [0.0]
高品質(Q)因子を有するフォトニック結晶(PhC)ナノキャビティは, 空間的および時間的光閉じ込め能力の強いため, 注目されている。ここでは硫黄系表面通過法によるGaAs活性PhCナノキャビティにおけるQ因子の顕著な改善を示す。
論文参考訳（メタデータ） (2019-12-27T03:26:25Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。