論文の概要: Superconductivity in tin telluride films grown by molecular beam epitaxy

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2503.09872v1
• Date: Wed, 12 Mar 2025 22:08:47 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-06-22 23:32:14.348671
• Title: Superconductivity in tin telluride films grown by molecular beam epitaxy
• Title（参考訳）: 分子線エピタキシー法により成長したスズテルリド薄膜の超伝導
• Authors: Antonio Gonzalez, Samuel J. Poage, Bernardo Langa, Jr., Deepak Sapkota, Salva Salmani-Rezaie, Shalinee Chikara, Michael D. Williams, David A. Muller, Kasra Sardashti, Kaveh Ahadi,
• Abstract要約: 分子線エピタキシー法により成長した高品質スズテルリド薄膜の超伝導の観察について報告する。 意図しないドープスズテルル化物は100Kで強誘電性遷移を行う。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: The intersection of superconductivity and ferroelectricity hosts a wide range of exotic quantum phenomena. Here, we report on the observation of superconductivity in high-quality tin telluride films grown by molecular beam epitaxy. Unintentionally doped tin telluride undergoes a ferroelectric transition at ~100 K. The critical temperature of superconductivity increases monotonically with indium concentration. The critical field of superconductivity, however, does not follow the same behavior as critical temperature with indium concentration and exhibits a carrier-density-dependent violation of the Pauli limit. The electron-phonon coupling, from the McMillan formula, exhibits a systematic enhancement with indium concentration, suggesting a potential violation of BCS weak coupling at high indium concentrations.
• Abstract（参考訳）: 超伝導と強誘電性の交差は、幅広いエキゾチックな量子現象を引き起こす。 本稿では, 分子線エピタキシー法により成長した高品質スズテルリド薄膜の超伝導の観察について報告する。 意図しないドープスズテルル化物は100K程度で強誘電性遷移し、超伝導の臨界温度はインジウム濃度とともに単調に上昇する。 しかし、超伝導の臨界場は、インジウム濃度の臨界温度と同じ挙動を辿らず、ポーリ限界のキャリア密度依存的な違反を示す。 マクミラン式からの電子-フォノンカップリングは、インジウム濃度による体系的な増強を示し、高インジウム濃度におけるBCS弱いカップリングの潜在的違反を示唆している。

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