論文の概要: Defects in Silicon Carbide as Quantum Qubits: Recent Advances in Defect Engineering
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2504.06671v1
- Date: Wed, 09 Apr 2025 08:13:58 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-04-10 16:14:55.671856
- Title: Defects in Silicon Carbide as Quantum Qubits: Recent Advances in Defect Engineering
- Title（参考訳）: 量子量子ビットとしての炭化ケイ素の欠陥:欠陥工学の最近の進歩
- Authors: Ivana Capan,
- Abstract要約: 本稿では,炭化ケイ素(SiC)の欠陥と量子量子ビットとしての可能性について概説する。
次に焦点はSiCの最も有望な欠陥、特にシリコン空孔(VSi)と空孔(VC-VSi)にシフトする。
照射, イオン注入, フェムト秒レーザー加工, 集束イオンビーム法など, 様々な製造技術が研究されている。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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- Abstract: This review provides an overview of defects in silicon carbide (SiC) with potential applications as quantum qubits. It begins with a brief introduction to quantum qubits and existing qubit platforms, outlining the essential criteria a defect must meet to function as a viable qubit. The focus then shifts to the most promising defects in SiC, notably the silicon vacancy (VSi) and divacancy (VC-VSi). A key challenge in utilizing these defects for quantum applications is their precise and controllable creation. Various fabrication techniques, including irradiation, ion implantation, femtosecond laser processing, and focused ion beam methods, have been explored to create these defects. Designed as a beginner-friendly resource, this review aims to support early-career experimental researchers entering the field of SiC-related quantum qubits. Providing an introduction to defect-based qubits in SiC offers valuable insights into fabrication strategies, recent progress, and the challenges that lie ahead.
- Abstract（参考訳）: 本稿では,炭化ケイ素(SiC)の欠陥と量子量子ビットとしての可能性について概説する。
量子量子ビットと既存の量子ビットプラットフォームへの簡単な導入から始まり、欠陥が実現可能な量子ビットとして機能するために満たされる必須条件の概要を概説する。
次に焦点はSiCの最も有望な欠陥、特にシリコン空孔(VSi)と空孔(VC-VSi)にシフトする。
これらの欠陥を量子アプリケーションに活用する上で重要な課題は、その正確かつ制御可能な生成である。
照射, イオン注入, フェムト秒レーザー加工, 集束イオンビーム法など, 様々な製造技術が研究されている。
初心者に優しい資源として設計されたこのレビューは、SiC関連量子量子ビットの分野に参入する早期キャリアの実験研究者を支援することを目的としている。
SiCにおける欠陥ベースのキュービットの導入は、製造戦略、最近の進歩、今後の課題に関する貴重な洞察を提供する。
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