論文の概要: Topological Surface States of 3D Topological Insulator on Twisted Bilayer Graphene

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2505.02187v1
• Date: Sun, 04 May 2025 17:07:03 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-05-06 18:49:35.47756
• Title: Topological Surface States of 3D Topological Insulator on Twisted Bilayer Graphene
• Title（参考訳）: ツイスト二層グラフェン上の3次元トポロジカル絶縁体のトポロジカル表面状態
• Authors: Yoonkang Kim,
• Abstract要約: ツイスト二層グラフェン(tBG)上にエピナリー成長した3次元トポロジカル絶縁体Bi$taxi$Se$_3$のトポロジカル表面状態(TSS)の理論的研究について述べる。 tBGによって誘導されるモワール電位は、TSSディラック錐体をモワールブリュアンゾーン(MBZ)に折り畳み、ミニギャップ開口、バンド平坦化、二次ディラック点の潜在的出現をもたらす。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We present a comprehensive theoretical study of the topological surface states (TSS) of Bi$_2$Se$_3$, a 3D topological insulator, epitaxially grown on twisted bilayer graphene (tBG). The moir\'e potential induced by tBG folds the TSS Dirac cone into the moir\'e Brillouin zone (MBZ), resulting in mini-gap openings, band flattening, and the potential emergence of secondary Dirac points. Using effective field theory, symmetry analysis, and higher-order perturbation theory, we analyze both commensurate and incommensurate twist angles, revealing significant band structure reconstruction in periodic systems and quasi-periodic effects in incommensurate ones. This work provides deep insights into the interplay between topological protection and moir\'e modulation, offering a pathway to engineer novel topological phases.
• Abstract（参考訳）: ツイスト二層グラフェン(tBG)上にエピタキシャルに成長した3次元トポロジカル絶縁体Bi$_2$Se$_3$のトポロジカル表面状態(TSS)に関する包括的理論的研究を行った。 tBGによって誘導されるモワール-'eポテンシャルは、TSSディラック錐体をモワール-'e Brillouinゾーン(MBZ)に折り畳み、ミニギャップ開口、バンド平坦化、二次ディラック点の潜在的出現をもたらす。 実効場理論,対称性解析,高次摂動理論を用いて,周期系における有意なバンド構造再構成と非可換系における準周期的効果を明らかにする。 この研究は、トポロジカル・プロテクションとモワーイ変調の相互作用に関する深い洞察を与え、新しいトポロジカル・フェーズを設計するための経路を提供する。

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