論文の概要: Inferring charge noise source locations from correlations in spin qubits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2505.05875v1
- Date: Fri, 09 May 2025 08:34:14 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-05-12 20:40:10.20477
- Title: Inferring charge noise source locations from correlations in spin qubits
- Title（参考訳）: スピン量子ビットの相関による電荷源位置の推定
- Authors: Juan S. Rojas-Arias, Akito Noiri, Jun Yoneda, Peter Stano, Takashi Nakajima, Kenta Takeda, Takashi Kobayashi, Giordano Scappucci, Seigo Tarucha, Daniel Loss,
- Abstract要約: 等方的に精製したSi/Si-Geを用いたスピン量子デバイスにおける低周波雑音について検討した。
低周波では、ノイズスペクトルは電力法則に適合せず、より個々の2レベルゆらぎ器(TLF)を認識することができる。
ノイズクロス相関により、個々のTLFの空間的位置に関する情報を得ることができることを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We investigate low-frequency noise in a spin-qubit device made in isotopically purified Si/Si-Ge. Observing sizable cross-correlations among energy fluctuations of different qubits, we conclude that these fluctuations are dominated by charge noise. At low frequencies, the noise spectra do not fit well a power law; rather, we can recognize a few individual two-level fluctuators (TLFs). We demonstrate that the noise cross-correlations allow one to get information on the spatial location of such individual TLFs.
- Abstract（参考訳）: 等方的に精製したSi/Si-Geを用いたスピン量子デバイスにおける低周波雑音について検討した。
異なる量子ビットのエネルギーゆらぎ間の大きな相互相関を観測し、これらのゆらぎは電荷ノイズに支配されていると結論づける。
低周波数では、ノイズスペクトルは電力法則に適合せず、より個々の2レベルゆらぎ器(TLF)を認識することができる。
ノイズクロス相関により、個々のTLFの空間的位置に関する情報を得ることができることを示す。
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