論文の概要: CMOS-Compatible, Wafer-Scale Processed Superconducting Qubits Exceeding Energy Relaxation Times of 200us
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2505.08424v3
- Date: Tue, 20 May 2025 12:35:47 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-05-21 12:33:37.36439
- Title: CMOS-Compatible, Wafer-Scale Processed Superconducting Qubits Exceeding Energy Relaxation Times of 200us
- Title(参考訳): 200usのエネルギー緩和時間を有するCMOS対応、ウェハスケール超伝導量子ビット
- Authors: T. Mayer, J. Weber, E. Music, C. Moran Guizan, S. J. K. Lang, L. Schwarzenbach, C. Dhieb, B. Kiliclar, A. Maiwald, Z. Luo, W. Lerch, D. Zahn, I. Eisele, R. N. Pereira, C. Kutter,
- Abstract要約: 本稿では,200mmウエハ上での超伝導量子ビットの産業レベルの製造結果について述べる。
99.7%(ショートとオープン)のジョセフソン接合の収率を10000以上の接合で示し、キュービット周波数予測精度は1.6%である。
これは、業界グレードのウェハレベルの減量プロセスで作製された超伝導量子ビットにとって、これまで報告された中で最高の性能を示す。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We present the results of an industry-grade fabrication of superconducting qubits on 200 mm wafers utilizing CMOS-established processing methods. By automated waferprober resistance measurements at room temperature, we demonstrate a Josephson junction fabrication yield of 99.7% (shorts and opens) across more than 10000 junctions and a qubit frequency prediction accuracy of 1.6%. In cryogenic characterization, we provide statistical results regarding energy relaxation times of the qubits with a median T1 of up to 100 us and individual devices consistently approaching 200 us in long-term measurements. This represents the best performance reported so far for superconducting qubits fabricated by industry-grade, wafer-level subtractive processes.
- Abstract(参考訳): CMOSを用いた200mmウエハ上における超伝導量子ビットの加工結果について述べる。
室温での自動ウエハプローブ抵抗測定により,10000点以上のジャンクションに99.7%(ショートとオープン)のジョセフソン接合が生成され,キュービット周波数予測精度が1.6%であることを示す。
低温特性評価では, 量子ビットのエネルギー緩和時間について, 中央値T1が100usであり, それぞれのデバイスが長期測定で200usに常に接近しているという統計結果が得られた。
これは、業界グレードのウェハレベルの減量プロセスで作製された超伝導量子ビットにとって、これまで報告された中で最高の性能を示す。
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