論文の概要: Antibunched emission from femtosecond laser-written nano-ablations on gallium nitride

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2505.09774v1
• Date: Wed, 14 May 2025 20:11:15 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-05-16 22:29:06.095842
• Title: Antibunched emission from femtosecond laser-written nano-ablations on gallium nitride
• Title（参考訳）: フェムト秒レーザーによる窒化ガリウムのナノアブレーションからの反結合発光
• Authors: Yanzhao Guo, Giulio Coccia, John P. Hadden, Shane M. Eaton, Anthony J. Bennett,
• Abstract要約: 窒化ガリウム(GaN)は、狭く明るいゼロフォノン発光を持つ量子エミッタを紫外線からテレコム領域にホストすることが報告されている。 本稿では、フェムト秒レーザーによるナノアブレーションをサブ回折制限径で生成する。 放射体は室温で鋭いスペクトルピークを持つMHz反結合放出を示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Femtosecond laser-writing offers distinct capabilities for fabrication, including three-dimensional, multi-material, and sub-diffraction-limited patterning. In particular, demonstrations of laser-written quantum emitters and photonic devices with superior optical properties have attracted attention. Recently, gallium nitride (GaN) has been reported to host quantum emitters with narrow and bright zero-phonon photoluminescence from ultraviolet to telecom ranges. However, emitters formed during epitaxy are randomly positioned, and until now, it has not been possible to fabricate quantum emitters in ordered arrays. In this paper, we employ femtosecond laser writing to create nano-ablations with sub-diffraction-limited diameter, and use rapid thermal annealing to activate co-located stable emitters. The emitters show MHz antibunched emission with a sharp spectral peak at room temperature. Our study not only presents an efficient approach to laser-written nanofabrication on GaN but also offers a promising pathway for the deterministic creation of quantum emitters in GaN, shedding light on the underlying mechanisms involved.
• Abstract（参考訳）: フェムト秒レーザーライティングは、3次元、多材料、サブ回折制限パターンなど、異なる製造能力を提供する。 特に、優れた光学特性を持つレーザー書き型量子エミッタやフォトニックデバイスのデモンストレーションが注目されている。 最近、窒化ガリウム(GaN)は、狭く明るいゼロフォノン発光を持つ量子エミッタを紫外からテレコム領域にホストしていると報告されている。 しかし、エピタキシーで形成されたエミッタはランダムに位置決めされており、これまでは順序づけられた配列で量子エミッタを作製することはできなかった。 本稿では,フェムト秒レーザーによるナノアブレーションをサブ回折限界径で生成し,高速熱アニールを用いて共位置安定エミッタを活性化する。 放射体は室温で鋭いスペクトルピークを持つMHz反結合放出を示す。 我々の研究は、GaNにレーザーによるナノファブリケーションへの効率的なアプローチを示すだけでなく、GaNにおける量子エミッタの決定論的生成のための有望な経路を提供し、その基盤となるメカニズムに光を当てる。

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