Fugu-MT 論文翻訳(概要): Electron Transport in One-Dimensional Disordered Lattice

論文の概要: Electron Transport in One-Dimensional Disordered Lattice

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2506.22452v1
Date: Sat, 14 Jun 2025 13:42:01 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2025-07-07 02:47:44.352606
Title: Electron Transport in One-Dimensional Disordered Lattice
Title（参考訳）: 一次元不規則格子における電子輸送
Authors: V. Slavin, Y. Savin, M. Klimov, M. Kiyashko,
Abstract要約: 1次元(1D)不規則鎖における電子輸送の特異性について検討した。宿主-格子位置の障害は、欠陥、不純物、電子-フォノン相互作用の存在によって引き起こされる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We have studied the peculiarities of electron transport in one-dimensional (1D) disordered chain at the presence of correlations between on-site interaction and tunneling integrals. In the considered models the disorder in host-lattice sites positions is caused by presence of defects, impurities, existence of electron-phonon interaction, e.t.c. It is shown, that for certain combination of parameters the localization of electron state, inherited by a various of 1D disordered systems, disappear and electron transport becomes possible. The parameters of this transport are established.
Abstract（参考訳）: 我々は,一次元(1次元)不規則鎖における電子輸送の特異性について,オンサイト相互作用とトンネル積分との相関関係について検討した。検討されたモデルでは、ホスト-格子部位の位置の障害は欠陥、不純物、電子-フォノン相互作用の存在によって引き起こされる。この輸送のパラメータが確立されている。

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