論文の概要: Temperature and Magnetic-Field Dependence of Energy Relaxation in a Fluxonium Qubit
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2507.01175v1
- Date: Tue, 01 Jul 2025 20:24:13 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-07-03 14:22:59.87652
- Title: Temperature and Magnetic-Field Dependence of Energy Relaxation in a Fluxonium Qubit
- Title(参考訳): フラクソニウム量子ビットにおけるエネルギー緩和の温度と磁場依存性
- Authors: Lamia Ateshian, Max Hays, David A. Rower, Helin Zhang, Kate Azar, Réouven Assouly, Leon Ding, Michael Gingras, Hannah Stickler, Bethany M. Niedzielski, Mollie E. Schwartz, Terry P. Orlando, Joel Î-j. Wang, Simon Gustavsson, Jeffrey A. Grover, Kyle Serniak, William D. Oliver,
- Abstract要約: デバイス界面における材料欠陥からのノイズは超伝導回路のコヒーレンスを制限することが知られている。
ここでは低周波フラクソニウム量子ビットにおけるエネルギー緩和の温度および面内磁場依存性について検討する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.18852704140597815
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Noise from material defects at device interfaces is known to limit the coherence of superconducting circuits, yet our understanding of the defect origins and noise mechanisms remains incomplete. Here we investigate the temperature and in-plane magnetic-field dependence of energy relaxation in a low-frequency fluxonium qubit, where the sensitivity to flux noise and charge noise arising from dielectric loss can be tuned by applied flux. We observe an approximately linear scaling of flux noise with temperature $T$ and a power-law dependence of dielectric loss $T^3$ up to 100 mK. Additionally, we find that the dielectric-loss-limited $T_1$ decreases with weak in-plane magnetic fields, suggesting a potential magnetic-field response of the underlying charge-coupled defects. We implement a multi-level decoherence model in our analysis, motivated by the widely tunable matrix elements and transition energies approaching the thermal energy scale in our system. These findings offer insight for fluxonium coherence modeling and should inform microscopic theories of intrinsic noise in superconducting circuits.
- Abstract(参考訳): デバイス界面における材料欠陥からのノイズは超伝導回路のコヒーレンスを制限することが知られているが、欠陥の起源とノイズ機構の理解はいまだ不完全である。
そこで, 低周波フラクソニウム量子ビットにおけるエネルギー緩和の温度および面内磁場依存性について検討し, 印加フラックスによるフラックスノイズと誘電損失に起因する電荷ノイズに対する感度を調整できることを示した。
温度$T$と誘電体損失$T^3$最大100mKの電力-法則に依存するフラックスノイズのおよそ線形スケーリングを観測した。
さらに、誘電体損失に制限された$T_1$は、平面内磁場の弱さによって減少し、基礎となる電荷結合欠陥の潜在的磁場応答が示唆される。
本研究では,多レベルデコヒーレンスモデルを構築し,熱エネルギースケールに近づく遷移エネルギーと広く調整可能な行列要素を動機とした。
これらの知見はフラキソニウムコヒーレンスモデリングの洞察を与え、超伝導回路における固有ノイズの顕微鏡的理論を知らせるべきである。
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