論文の概要: Characterization of the optical response from variant InGaN nanowires emitting within the green spectral gap

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2508.08977v1
• Date: Tue, 12 Aug 2025 14:40:28 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-08-13 21:07:34.460974
• Title: Characterization of the optical response from variant InGaN nanowires emitting within the green spectral gap
• Title（参考訳）: グリーンスペクトルギャップ内発光型InGaNナノワイヤの光応答特性
• Authors: Mohsen Esmaeilzadeh, Pablo Tieben, Soumyadip Chatterjee, Apurba Laha, Andreas W. Schel,
• Abstract要約: InGaNナノワイヤ(NWs)の形態,構造,光学特性を詳細に解析する。 本研究は, インジウム組成不均一性とNWsの発光特性の相関性について検討した。 これらの知見は、成長条件の最適化、色精度の向上、NWの光学効率の向上に寄与し、次世代の高性能LEDや光エレクトロニクスデバイスの可能性を強調している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: This study provides a comprehensive physical and optical investigation of InGaN nanowires (NWs) designed to address the challenges posed by the green gap region. We conduct a detailed analysis of the morphology, structure, and optical characteristics of the NWs using characterization techniques such as scanning electron microscopy, cathodoluminescence spectroscopy, and confocal scanning microscopy. Notably, increasing the indium concentration causes a redshift in emission and alters the luminescence properties across different segments of NWs. Our findings provide valuable insight into the correlation between indium compositional nonuniformity and the optical emission properties of NWs. These insights contribute to optimizing the growth condition, color accuracy, and enhancing optical efficiency of NWs, highlighting their potential for next generation high-performance LEDs and optoelectronics devices.
• Abstract（参考訳）: 本研究は、グリーンギャップ領域がもたらす課題に対処するために設計されたInGaNナノワイヤ(NW)の包括的物理的および光学的研究を提供する。 我々は,走査電子顕微鏡,カソードルミネッセンス分光法,共焦点走査顕微鏡などの特性解析技術を用いて,NWの形態,構造,光学特性を詳細に解析する。 特に、インジウム濃度の上昇は発光の赤方偏移を引き起こし、NWの異なるセグメントで発光特性を変化させる。 本研究は, インジウム組成不均一性とNWsの発光特性の相関性について検討した。 これらの知見は、成長条件の最適化、色精度の向上、NWの光学効率の向上に寄与し、次世代の高性能LEDや光エレクトロニクスデバイスの可能性を強調している。

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