論文の概要: Measuring pulse heating in Si quantum dots with individual two-level fluctuators
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2509.10816v1
- Date: Sat, 13 Sep 2025 14:32:08 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-09-16 17:26:22.793851
- Title: Measuring pulse heating in Si quantum dots with individual two-level fluctuators
- Title（参考訳）: 個別2レベルゆらぎを用いたSi量子ドットのパルス加熱測定
- Authors: Feiyang Ye, Lokendra S. Dhami, John M. Nichol,
- Abstract要約: 我々はSi/SiGe量子ドットの電荷2レベルゆらぎを用いたパルス加熱を測定する。
加熱の量はパルス振幅と周波数に依存するが、パルスゲートとTLFの間の距離には依存しない。
我々は、近くの電子でゲートの面積を減らすことで加熱を緩和できるという仮説を立てた。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.3240649336645922
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: To encode quantum information in semiconductor spin qubits, voltage pulses are necessary for initialization, gate operation, and readout. However, these pulses dissipate heat, shifting spin-qubit frequencies and reducing gate fidelities. The cause of this pulse heating in quantum-dot devices is unknown. Here, we measure pulse heating using charged two-level fluctuators (TLFs) in Si/SiGe quantum dots. We find that the TLFs are susceptible to pulse heating. The amount of heating depends on the pulse amplitude and frequency, but not on the distance between the pulsed gates and the TLFs. The amount of heating also generally depends on the idling voltage of the pulsed gates, suggesting that electrons accumulated under or near the gates contribute to the heating. We hypothesize that reducing the area of the gates with electrons nearby could mitigate the heating.
- Abstract（参考訳）: 半導体スピン量子ビットの量子情報を符号化するには、初期化、ゲート操作、読み出しに電圧パルスが必要である。
しかし、これらのパルスは熱を放散し、スピン量子周波数をシフトさせ、ゲートの忠実度を減少させる。
量子ドットデバイスにおけるこのパルス加熱の原因は不明である。
ここでは、Si/SiGe量子ドット中の荷電二層変動器(TLF)を用いてパルス加熱を測定する。
TLFはパルス加熱の影響を受けやすいことが判明した。
加熱の量はパルス振幅と周波数に依存するが、パルスゲートとTLFの間の距離には依存しない。
加熱の量は一般的にパルスゲートのアイドリング電圧に依存するため、ゲートの下または近くで蓄積された電子が加熱に寄与する。
我々は、近くの電子でゲートの面積を減らすことで加熱を緩和できるという仮説を立てた。
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