論文の概要: Valley-dependent topological interface states in biased armchair nanoribbons in gapless graphene
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2510.05653v1
- Date: Tue, 07 Oct 2025 08:04:39 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-10-08 17:57:08.15112
- Title: Valley-dependent topological interface states in biased armchair nanoribbons in gapless graphene
- Title(参考訳): ギャップレスグラフェン中の偏りアルチェアナノリボンの谷依存性トポロジー界面状態
- Authors: Zheng-Han Huang, Jing-Yuan Lai, Yu-Shu G. Wu,
- Abstract要約: 本研究では, ギャップレスグラフェンの2次元アームチェアナノリボンにおいて, 谷分極における電気バイアス制御, トポロジカル種不連続性について検討した。
我々は、不連続誘導電子固有状態のエネルギー固有値と確率分布を明示的に取得する。
固有状態を輸送活性な準局在化した状態に変換するための構成的変化が導入された。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/
- Abstract: We investigate an electrical bias-controlled, topological kind discontinuity in valley polarization, in a two-segment armchair nanoribbon of gapless graphene, where the discontinuity is created at the interface by applying opposite in-plane, transverse electrical biases to the two segments. In particular, using an efficient tight-binding theoretical formulation, we explicitly obtain energy eigenvalues and probability distributions of discontinuity-induced, interface-confined electron eigenstates, in a reference configuration. Moreover, implications of the confinement for electron transport are explored. A configurational variation is introduced to transform the eigenstates into transport-active, quasi-localized ones. Such states are shown to result in Fano "anti-resonances" in transmission spectra. The resilience of the quasi-localized states and their associated Fano fingerprints is also illustrated with respect to configurational fluctuations, demonstrating their potential detectability in realistic devices and suggesting transport spectroscopy as a practical probe of valley-dependent topological interface physics in graphene nanoribbons.
- Abstract(参考訳): 谷分極における電気的バイアス制御, トポロジカル型不連続性について検討し, ギャップレスグラフェンの2次元アームチェア型ナノリボンにおいて, 両セグメントに逆面の電気的バイアスを印加することにより界面に不連続性を生成する。
特に、効率的な強結合理論定式化を用いて、非連続性誘起電子固有状態のエネルギー固有値と確率分布を基準構成で明らかに得る。
さらに, 電子輸送における閉じ込めの影響について検討した。
固有状態を輸送活性な準局在化した状態に変換するための構成的変化が導入された。
このような状態は、透過スペクトルにおけるファノの「反共鳴」をもたらすことが示されている。
準局在状態とそのファノ指紋のレジリエンスは、構成のゆらぎに関しても説明され、現実的なデバイスにおける潜在的な検出可能性を示し、グラフェンナノリボンの谷依存性トポロジカル界面物理の実用的なプローブとして輸送分光法を提案する。
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