論文の概要: Real-time Monitoring of Neon Film Growth for Electron-on-Neon Qubits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2511.20765v1
- Date: Tue, 25 Nov 2025 19:00:15 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-11-27 18:37:58.812906
- Title: Real-time Monitoring of Neon Film Growth for Electron-on-Neon Qubits
- Title(参考訳): 電子オンネオン量子のネオン薄膜成長のリアルタイムモニタリング
- Authors: Sidharth Duthaluru, Kaiwen Zheng, Erik A. Henriksen, Kater W. Murch,
- Abstract要約: 電荷状態の形成に対する制御は、回路表面上の固体Ne薄膜の成長を追跡し制御する技術を必要とする。
高温(高T_c$)YBCOマイクロ波共振器を用いたリアルタイムNe薄膜成長モニタを試作した。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 11.139865248336688
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Electron-on-neon (eNe) charge states coupled to superconducting circuits are a promising platform for quantum computing. Control over the formation of these charge states requires techniques to track and control the growth of solid Ne films on the circuit surface. We demonstrate a real-time Ne film-growth monitor using high-transition-temperature (high-$T_c$) YBCO microwave resonators. The high $T_c$ enables tracking of the film thickness near Ne's triple temperature and below. Across more than 300 solidification experiments, we find that the final Ne thickness varies stochastically from a few nm to a few $μ$m for films solidified from the liquid phase. By increasing the driving power in the resonator, we consistently reduce the final thickness to below 100 nm. These results represent an important step toward controlled formation of Ne films for eNe qubits and highlight the broader utility of high-$T_c$ resonators for hybrid quantum systems.
- Abstract(参考訳): 超伝導回路に結合した電子オンネオン(eNe)電荷状態は、量子コンピューティングにとって有望なプラットフォームである。
これらの電荷状態の形成に対する制御は、回路表面上の固体Ne薄膜の成長を追跡し制御する技術を必要とする。
高温(高T_c$)YBCOマイクロ波共振器を用いたリアルタイムNe薄膜成長モニタを試作した。
高いT_c$は、Neの三重温度以下の膜厚の追跡を可能にする。
300以上の凝固実験において, 液相から凝固した膜に対して, 最終Neの厚さは数nmから数μ$mに確率的に変化することがわかった。
共振器の駆動力を増大させることで、最終厚みを100nm以下に抑えることができる。
これらの結果は、eNe量子ビットに対するNe薄膜の制御に向けた重要なステップであり、ハイブリッド量子系に対する高T_c$共振器の幅広い有用性を強調している。
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