論文の概要: Quantum Diamond Microscopy for Non-Destructive Failure Analysis of an Integrated Fan-Out Package-on-Package iPhone Chip
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2512.07619v1
- Date: Mon, 08 Dec 2025 15:06:59 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-12-09 22:03:54.938588
- Title: Quantum Diamond Microscopy for Non-Destructive Failure Analysis of an Integrated Fan-Out Package-on-Package iPhone Chip
- Title（参考訳）: 集積ファンアウトパッケージ・オン・パッケージiPhoneチップの非破壊破壊解析のための量子ダイヤモンド顕微鏡
- Authors: Bartu Bisgin, Marwa Garsi, Andreas Welscher, Michael Hanke, Fleming Bruckmaier,
- Abstract要約: 本研究では, ダイヤモンド中の窒素空孔中心に基づく量子ダイヤモンド顕微鏡(QDM)を非破壊局在化法として検証する。
パッケージレベルの故障解析(FA)において,QDMの結果が最上位原因の同定に有意な情報を提供することを示す。
この研究は、半導体チップへのより広範な統合とパッケージ分析のためのQDMの可能性を示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The increasing complexity of advanced semiconductor packages, driven by chiplet architectures and 2.5D/3D integration, challenges conventional failure localization methods such as lock-in thermography (LIT) and complicates current Failure Analysis (FA) workflows. Dense redistribution layers and buried interconnects limit the ability of established techniques to understand failure mechanisms non-destructively. In this work, we validate quantum diamond microscopy (QDM) based on nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond as a non-destructive localization method through magnetic current path imaging at the package level. Using commercial Integrated Fan-Out Package-on- Package (InFO-PoP) devices from iPhones, we showcase a complete FA workflow that includes QDM to localize a short-type failure at an Integrated Passive Device (IPD) at the package backside. We showcase that the QDM results provide invaluable information on top of conventional techniques and can significantly enhance root-cause identification in package-level FA workflows. This work demonstrates the potential of QDM for broader integration into semiconductor chip and package analysis workflows.
- Abstract（参考訳）: チップレットアーキテクチャと2.5D/3D統合によって駆動される高度な半導体パッケージの複雑さの増大は、ロックインサーモグラフィ(LIT)のような従来の障害ローカライゼーション手法に挑戦し、現在の障害解析(FA)ワークフローを複雑にする。
複雑な再分配層と埋設配線は、故障機構を非破壊的に理解する確立した手法の能力を制限する。
本研究では, ダイヤモンド中の窒素空孔(NV)中心に基づく量子ダイヤモンド顕微鏡(QDM)を, パッケージレベルでの磁気電流路イメージングによる非破壊局在化法として検証する。
InFO-PoP(Integrated Fan-Out Package-on-Package)デバイスをiPhoneから利用すると、QDMを含む完全なFAワークフローがパッケージバックサイドのIntegrated Passive Device (IPD)でローカライズされる。
本報告では,QDMの結果が従来の技術の上に重要な情報を提供し,パッケージレベルのFAワークフローにおける根本原因同定を大幅に向上させることができることを示す。
この研究は、半導体チップとパッケージ分析ワークフローへのより広範な統合のためのQDMの可能性を示す。
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