論文の概要: Colour Centre Formation in Silicon-On-Insulator for On-Chip Photonic Integration
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2601.17919v1
- Date: Sun, 25 Jan 2026 17:40:11 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-01-27 15:23:08.53661
- Title: Colour Centre Formation in Silicon-On-Insulator for On-Chip Photonic Integration
- Title（参考訳）: オンチップフォトニック集積用シリコンオン絶縁体における色中心形成
- Authors: Arnulf J. Snedker-Nielsen, David R. Gongora, Magnus L. Madsen, Christian H. Christiansen, Eike L. Piehorsch, Mathias Ø. Augustesen, Elvedin Memisevic, Sangeeth Kallatt, Rodrigo A. Thomas, Mark Kamper Svendsen, Peter Krogstrup Jeppesen, Marianne E. Bathen, Lasse Vines, Peter Granum, Stefano Paesani,
- Abstract要約: シリコン中の色中心は、量子技術の単一光子源として大きな可能性を秘めている。
そのうちのいくつかは、T中心のように、スピン-光子界面を可能にする光学活性スピンも持っている。
本稿では、シリコン製造可能なシリコンオン絶縁体量子デバイスのためのシリコンにおける色中心の生成について検討する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Colour centres in silicon have great potential as single photon sources for quantum technologies. Some of them - like the T centre - also possess optically-active spins that enable spin-photon interfaces for generating entangled photons and multi-spin registers. This paper explores the generation of several types of colour centres in silicon for mass-manufacturable silicon-on-insulator quantum devices. We investigate how different processes in the device development affect the presence of the quantum emitters, including thermal annealing and fabrication steps for optical nanostructures. The study reveals coupled formation dynamics between different colour centres, identifies optimal parameters for annealing processes, and reports on the sensitivity to annealing duration and nanofabrication procedures for photonic integrated circuits. Furthermore, we discern stable optical signals from colour centres in silicon which have not been identified before.
- Abstract（参考訳）: シリコン中の色中心は、量子技術の単一光子源として大きな可能性を秘めている。
そのうちのいくつかは、T中心のように、絡み合った光子とマルチスピンレジスタを生成するためのスピン光子インターフェースを可能にする光学活性スピンも持っている。
本稿では、シリコン製造可能なシリコンオン絶縁体量子デバイスのためのシリコンにおける色中心の生成について検討する。
デバイス開発における異なるプロセスが、光ナノ構造のための熱アニールや製造工程を含む量子エミッタの存在にどのように影響するかを考察する。
この研究は、異なる色中心間の結合形成ダイナミクスを明らかにし、アニールプロセスの最適パラメータを特定し、フォトニック集積回路のアニール時間に対する感度とナノファブリケーション手順を報告した。
さらに、これまで同定されていないシリコンの色中心から安定な光信号を識別する。
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