論文の概要: Quantum Information Processing With Integrated Silicon Carbide Photonics

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.00136v3
• Date: Sat, 12 Mar 2022 16:59:57 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-09 20:55:50.391382
• Title: Quantum Information Processing With Integrated Silicon Carbide Photonics
• Title（参考訳）: シリコン炭化物フォトニクスを用いた量子情報処理
• Authors: Sridhar Majety, Pranta Saha, Victoria A. Norman, Marina Radulaski
• Abstract要約: 広帯域ギャップ半導体における色中心は、固体量子技術の顕著な候補である。 フォトニックデバイスに統合されたケイ素カーバイドカラーセンターは、量子情報処理の幅広い応用にまたがる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Color centers in wide band gap semiconductors are prominent candidates for solid-state quantum technologies due to their attractive properties including optical interfacing, long coherence times, spin-photon and spin-spin entanglement, as well as the potential for scalability. Silicon carbide color centers integrated into photonic devices span a wide range of applications in quantum information processing, in a material platform with quantum-grade wafer availability and advanced processing capabilities. Recent progress in emitter generation and characterization, nanofabrication, device design, and quantum optical studies have amplified the scientific interest in this platform. We provide a conceptual and quantitative analysis of the role of silicon carbide integrated photonics in three key application areas: quantum networking, simulation, and computing.
• Abstract（参考訳）: 広帯域ギャップ半導体における色中心は、光学的相互作用、長いコヒーレンス時間、スピン光子、スピンスピン絡み合い、スケーラビリティのポテンシャルなどの魅力的な性質から、固体量子技術の有力候補である。 フォトニックデバイスに統合された炭化ケイ素カラーセンタは、量子レベルのウェハ可用性と高度な処理能力を備えたマテリアルプラットフォームにおいて、量子情報処理の幅広い応用にまたがる。 エミッタの生成とキャラクタリゼーション、ナノファブリケーション、デバイス設計、量子光学研究の最近の進歩は、このプラットフォームに対する科学的関心を増幅させた。 量子ネットワーク,シミュレーション,計算の3つの主要な応用領域における炭化ケイ素集積フォトニクスの役割を概念的かつ定量的に分析する。

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