論文の概要: Exploration of Fluxonium Parameters for Capacitive Cross-Resonance Gates

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2603.17936v1
• Date: Wed, 18 Mar 2026 17:10:12 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-03-19 18:32:57.841923
• Title: Exploration of Fluxonium Parameters for Capacitive Cross-Resonance Gates
• Title（参考訳）: 容量型クロス共振ゲートのためのフラクソニウムパラメータの探索
• Authors: Eugene Y. Huang, Christian Kraglund Andersen,
• Abstract要約: 容量結合型フラキソニウム量子ビットにおけるクロス共振効果について検討した。 CNOTゲートは、周波数が1GHz未満のフラクソニウム量子ビットに対して、残留ZZが50kHzに制限された200 ns以下で一般的に実現可能である。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We study the cross-resonance effect in capacitively-coupled fluxonium qubits and devise a simple formula for their maximum ZX interaction strength. By going beyond the perturbative regime, we find that a CNOT gate can generally be realized in under 200 ns with residual ZZ limited to 50 kHz, for fluxonium qubits with frequencies below 1 GHz. Our analysis relies on a semi-analytical method: we first numerically diagonalize the Floquet Hamiltonian of the strongly-driven control qubit and then perturbatively incorporate the weak qubit-qubit coupling to obtain an effective Hamiltonian. We also derive frequency collision windows around harmful control-target and control-spectator transitions. For large fluxonium devices, we predict a collision-free yield that is considerably less sensitive to junction variability compared to transmons in the same layout. These results support the viability of an all-fluxonium cross-resonance architecture with only capacitive couplings.
• Abstract（参考訳）: 容量結合型フラキソニウム量子ビットにおけるクロス共振効果について検討し、その最大ZX相互作用強度の簡単な公式を考案した。 CNOTゲートは摂動状態を超えて、50kHzに制限された残留ZZを持つ200ns以下で、周波数が1GHz未満のフラキソニウム量子ビットに対して一般的に実現可能である。 まず、強駆動の制御量子ビットのフロケ・ハミルトニアンを数値的に対角化し、弱クビット・クビット結合を摂動的に組み込んで有効ハミルトニアンを得る。 また、有害な制御ターゲットと制御オブザーバ遷移の周囲の周波数衝突窓を導出する。 大型フラキソニウムデバイスでは,同じレイアウトのトランモンに比べて接合変動に敏感な衝突のない収率を予測できる。 これらの結果は、容量結合しか持たない全フルオキソニウムクロス共鳴アーキテクチャの実現性を支持する。

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