論文の概要: Probing Electrostatic Disorder via g-Tensor Geometry
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2604.09475v1
- Date: Fri, 10 Apr 2026 16:34:34 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-04-13 17:57:53.964458
- Title: Probing Electrostatic Disorder via g-Tensor Geometry
- Title（参考訳）: g-Tensor Geometryによる静電障害の探索
- Authors: Edmondo Valvo, Christian Ventura-Meinersen, Michele Jakob, Stefano Bosco, Tereza Vakhtel, Maximilian Rimbach-Russ,
- Abstract要約: 低周波電荷ノイズは、半導体ホールスピン量子ビットの大きな制限である。
g-テンソルの異方性のため、クビット応答は揺らぎ子による双極子摂動の幾何学に依存する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Low-frequency charge noise induced by fluctuating electrostatic disorder is a major limitation for semiconductor hole spin qubits. Here, we analyze the quasistatic response of a hole spin qubit to individual two-level fluctuators (TLFs). We show that, due to the anisotropy of the g-tensor, the qubit response depends on the geometry of the fluctuator-induced dipolar perturbation. We then propose a readout protocol that isolates selected g-tensor components through an accumulated Berry phase and estimate, within our readout model, an order-unity signal-to-noise ratio with a total protocol time in the tens of microseconds. Finally, using microscopic simulations, we compute the quantum Fisher information (QFI) to identify magnetic field directions and confinement regimes in which the qubit is most sensitive to disorder-induced variations of selected g-tensor components.
- Abstract（参考訳）: 静電気障害によって誘導される低周波帯電ノイズは、半導体ホールスピン量子ビットの大きな制限である。
ここでは、個々の2レベルゆらぎ(TLF)に対するホールスピンキュービットの準静的応答を解析する。
g-テンソルの異方性のため、クビット応答は揺らぎ子による双極子摂動の幾何学に依存する。
次に,蓄積したベリー位相から選択したgテンソル成分を分離する読み出しプロトコルを提案する。
最後に、微視的シミュレーションを用いて、量子フィッシャー情報(QFI)を計算し、量子ビットが選択したg-テンソル成分の障害誘発変化に最も敏感な磁場方向と閉じ込め状態を特定する。
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