論文の概要: Cryogenic Graphene-Based Phase Modulators for Quantum Information Processing
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.00112v1
- Date: Thu, 30 Apr 2026 18:08:12 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-05-04 17:43:28.699142
- Title: Cryogenic Graphene-Based Phase Modulators for Quantum Information Processing
- Title(参考訳): 量子情報処理のための低温グラフェン系位相変調器
- Authors: Leonard Barboza Navarro, Maria Carolina Volpato, Alisson Ronieri Cadore, Pierre-Louis de Assis,
- Abstract要約: 窒化ケイ素導波路上に集積した小型二層グラフェン(G)電気光学位相変調器について理論的検討を行った。
低温動作はFermi-Dirac分布を鋭くすることでデバイス性能を向上させることを示す。
実際の電圧制約の下で挿入損失とデバイスのフットプリントを同時に最小化する機構を同定する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Electro-optic modulators are key components for photonic quantum computing, particularly in fully cryovenic integrated platforms where low loss and compactness are critical. We present a systematic theoretical investigation of compact dual-layer graphene (DSLG) electro-optic phase modulators integrated on silicon nitride waveguides, with emphasis on cryogenic operation. By combining electromagnetic simulations with a physically consistent description of graphene conductivity based on the Kybo formalism, we analyze the interplay between electrostatic tuning, optical mode confinement, and material-dependent losses. We show that cryogenic operation enhances device performance by sharpening the Fermi-Dirac distribution, enabling access to the Pauli-blocking regime at lower Fermi levels and reducing the required modulation length. Through optimization of the waveguide geometry, dielectric spacer thickness and permittivity, and graphene quality, we identify regimes that simultaneously minimize insertion loss and device footprint under realistic voltage constraints. The optimized designs achieve near-pure phase modulation with insertion losses below 0.3 dB and modulation lengths below 50 um at 10 K, while maintaining GHz-scale bandwidths. These results provide quantitative design guidelines for low-loss, compact, cryogenic graphene phase modulators for scalable integrated quantum photonics.
- Abstract(参考訳): 電子光学変調器は光量子コンピューティングの鍵となる要素であり、特に低損失とコンパクト性が重要となる完全に低温の集積プラットフォームにおいてである。
本研究では, 窒化ケイ素導波路上に集積した小型二層グラフェン(DSLG)電気光学位相変調器の理論的検討を行い, 低温動作に着目した。
電磁シミュレーションとキボ形式に基づくグラフェン伝導率の物理的に一貫した記述を組み合わせることで、静電チューニング、光モード閉じ込め、材料依存損失の相互作用を分析する。
低温動作はFermi-Dirac分布を鋭くすることでデバイス性能を向上し,より低いFermiレベルのPauli遮断機構にアクセスでき,必要な変調長を低減できることを示す。
導波路形状,誘電体スペーサ厚,誘電率,グラフェン品質を最適化することにより,実際の電圧制約下での挿入損失とデバイスフットプリントを同時に最小化する機構を同定する。
最適化された設計は、挿入損失が0.3dB未満、変調長が10Kで50馬力以下で、GHzスケールの帯域幅を維持しながら、ほぼ純位相変調を実現する。
これらの結果は、スケーラブルな集積量子フォトニクスのための低損失でコンパクトで低温のグラフェン相変調器のための定量的な設計ガイドラインを提供する。
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