論文の概要: Inverse Design of Multi-Layer Sub-Pixel-Resolution RF Passives Through Grayscale Diffusion with Flexible S-Parameter Conditioning
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.08233v1
- Date: Wed, 06 May 2026 23:25:03 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-05-12 23:28:49.482741
- Title: Inverse Design of Multi-Layer Sub-Pixel-Resolution RF Passives Through Grayscale Diffusion with Flexible S-Parameter Conditioning
- Title(参考訳): フレキシブルSパラメータ条件付きグレースケール拡散による多層サブPixel-Resolution RFパッシブの逆設計
- Abstract要約: 本稿では,サブピクセルグレースケールのメタライゼーションを1-20GHzで実現し,基板上の部分的なSパラメータ入力から受動成分を生成する逆設計手法を提案する。
このフレームワークは、ランゲヴィン・プロジェクションを通じて実施されるフィード位置の厳しい物理的制約を伴って、2層銅配置を生成する。
RO4003C 上の2つの設計手法を用いて,結合ギャップが製造規則に反するヘアピンフィルタと,ターゲット S- パラメータのみをスクラッチから設計したコムラインバンドパスフィルタの2つの設計手法を検証した。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 3.770788646385548
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Inverse design of RF passive components from S-parameters is a high-dimensional, ill-posed problem, and prior generative approaches are limited to single-layer binary-metallization structures. This paper presents an inverse design approach that generates passive components from partial S-parameter inputs on an $8\times8$ mm board discretized at $64\times64$ pixels with sub-pixel grayscale metallization across 1-20 GHz. The framework generates two-layer copper layouts with vias, with hard physical constraints on feed locations enforced through annealed Langevin projection, flexible multi-modal conditioning on partial S-parameter specifications, port locations, dielectric properties, reference topology, and variable port placement. Candidate designs are generated in seconds, with surrogate-predicted S-parameters matching targets to within $0.77 \pm 1.28$ dB weighted mean absolute error. We validate the approach with two fabricated designs on RO4003C: a manufacturable alternative to a hairpin filter whose coupling gaps violate fabrication rules, and a combline bandpass filter designed from scratch given only target S-parameters.
- Abstract(参考訳): SパラメータからのRF受動的成分の逆設計は、高次元かつ不適切な問題であり、以前の生成的アプローチは単層二層金属化構造に限られる。
本稿では,サブピクセルのグレースケールメタライゼーションを1-20GHzで行うことで,Sパラメータの部分入力から6.4\times8$ mmで離散化されたSパラメータ入力から受動成分を生成する逆設計手法を提案する。
このフレームワークは、アニールされたランゲヴィンプロジェクション、部分的なSパラメータ仕様、ポート位置、誘電特性、参照トポロジー、可変ポート配置の柔軟なマルチモーダルコンディショニングにより、フィード位置の厳しい物理的制約を伴って、2層銅配置を生成する。
候補は数秒で生成され、サロゲート予測Sパラメータは0.77 \pm 1.28$dBの重み付き平均絶対誤差に一致する。
RO4003Cにおける2つの設計手法として, 結合ギャップが製造規則に反するヘアピンフィルタと, ターゲットSパラメータのみをスクラッチから設計したコムラインバンドパスフィルタの2つの手法を検証した。
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