論文の概要: Probing charge noise in bilayer graphene quantum dots by Landau-Zener-Stückelberg-Majorana spectroscopy
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.12257v1
- Date: Tue, 12 May 2026 15:26:22 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-05-13 21:48:56.959415
- Title: Probing charge noise in bilayer graphene quantum dots by Landau-Zener-Stückelberg-Majorana spectroscopy
- Title(参考訳): Landau-Zener-Stückelberg-Majorana分光法による二層グラフェン量子ドットの電荷ノイズの探索
- Authors: Katrin Hecker, Samuel Möller, Tobias Deußen, Hubert Dulisch, Luca Banszerus, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Christian Volk, Christoph Stampfer,
- Abstract要約: 電荷ノイズは固体デバイスにおけるクォービットのコヒーレンスと緩和を制限する重要な要因である。
二層グラフェン(BLG)量子ドットでは、電荷ノイズの起源と大きさは明らかにされていない。
5GHzから10GHzの周波数でBLG二重量子ドット上に形成された単一粒子電荷量子ビットについて検討した。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 1.1376794606672556
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Charge noise is an important factor limiting qubit coherence and relaxation in solid-state devices. In bilayer graphene (BLG) quantum dots, recently established as a promising platform for spin- and valley-based qubits, both the origin and magnitude of charge noise remain largely unexplored. Here, we investigate high-frequency charge noise using Landau-Zener-Stückelberg-Majorana (LZSM) interference spectroscopy. We study a single-particle charge qubit formed in a BLG double quantum dot at frequencies between 5 and 10 GHz and extract a noise spectral density $S_\varepsilon$ on the order of 0.5-0.9 neV$/\sqrt{\mathrm{Hz}}$. This is comparable to values reported for III-V semiconductor platforms and silicon. From the temperature and frequency dependence of the charge qubit decoherence, we conclude that thermal (Johnson) noise or electron-phonon coupling dominates over two-level fluctuators.
- Abstract(参考訳): 電荷ノイズは固体デバイスにおけるクォービットのコヒーレンスと緩和を制限する重要な要因である。
二層グラフェン(BLG)量子ドットは、近年スピンおよびバレーベースの量子ビットの有望なプラットフォームとして確立されているが、電荷ノイズの起源と大きさは明らかにされていない。
本稿では,Landau-Zener-Stückelberg-Majorana (LZSM) 分光法を用いて高周波帯電雑音について検討する。
5GHzから10GHzの周波数でBLG二重量子ドットに形成された単一粒子電荷量子ビットを解析し,0.5-0.9 NeV$/\sqrt{\mathrm{Hz}}$の順に雑音スペクトル密度$S_\varepsilon$を抽出する。
これはIII-V半導体プラットフォームとシリコンで報告された値に匹敵する。
電荷量子ビットデコヒーレンスの温度と周波数依存性から、熱(ジョンソン)ノイズや電子-フォノンカップリングが2レベルゆらぎ器よりも支配的であると結論付ける。
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