論文の概要: Squeezed Phonon Lasing via Floquet-Controlled Solid-State Defects

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2606.05083v1
• Date: Wed, 03 Jun 2026 16:40:13 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-06-04 20:44:18.903083
• Title: Squeezed Phonon Lasing via Floquet-Controlled Solid-State Defects
• Title（参考訳）: Floquet-Controlled Solid-State Defects によるSqueezed Phonon Lasing
• Authors: Hugo Molinares, Gianluca Rastelli, Victor Montenegro, Vitalie Eremeev,
• Abstract要約: フロケットエンジニアリングは、制御された4次スキューズを実現しつつ、フェーズロックされたラシングを実現することができる。 その結果,固体プラットフォームにおける励起フォノンレーザーの発生に関する新たな知見が得られた。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We propose a general Floquet-engineered scheme for phonon lasing that enables a continuous transition from conventional lasing to phase-locked squeezed phonon lasing. Focusing on a solid-state platform based on color centers embedded in a circular hexagonal boron nitride (hBN) membrane, we demonstrate that a mechanical oscillator coupled to principal and ancilla spins, and controlled via effective Floquet driving simultaneously exhibits squeezed-state amplification and cooling dynamics, leading to the emergence of a stable squeezed phonon laser. We analyse the steady-state properties of the system, including the lasing threshold, mechanical occupation, emission spectrum and second-order correlations. Furthermore, we show that Floquet engineering can realize phase-locked lasing while enabling controlled quadrature squeezing, thereby providing a simple yet effective route toward squeezed lasing in quantum mechanical systems. Our results offer new insights into the generation of squeezed phonon lasers in solid-state platforms, with potential applications in quantum metrology.
• Abstract（参考訳）: 従来のラシングからフェーズロックされたシャープされたフォノンラシングへの連続的な遷移を可能にする、一般的なフロケット式フォノンラッシング方式を提案する。 球状六方晶窒化ホウ素膜 (hBN) に埋没した色中心をベースとした固体プラットフォームに着目し, 主軸スピンとアシラスピンに結合し, 有効フロケ駆動により制御された機械振動子が同時に圧縮状態増幅と冷却のダイナミクスを示し, 安定な励起フォノンレーザーが出現することを示した。 我々は, 溶出閾値, 機械的占有, 発光スペクトル, 二次相関などの系の定常特性を解析した。 さらに、Floquetエンジニアリングは、制御された二次的スキューズを可能としながら位相同期型ラッシングを実現することができ、量子力学系における圧縮型ラッシングへの簡易かつ効果的な経路を提供する。 この結果から,固体プラットフォームにおける励起フォノンレーザーの発生に関する新たな知見が得られ,量子力学への応用が期待できる。

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