論文の概要: Detecting Exciton Condensation through Charge Transport in Semiconductor Heterostructures
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2606.07752v1
- Date: Fri, 05 Jun 2026 18:01:03 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-06-09 14:42:05.379023
- Title: Detecting Exciton Condensation through Charge Transport in Semiconductor Heterostructures
- Title（参考訳）: 半導体ヘテロ構造の電荷輸送によるエキシトン凝縮の検出
- Authors: Caterina Zerba, Léo Mangeolle, Michael Knap,
- Abstract要約: 半導体ヘテロ構造におけるエキシトン凝縮の直接的証拠は、まだ解明されていない。
遷移金属ジアルコゲナイドヘテロ構造におけるエキシトン凝縮のプローブとしてドープキャリアの電荷輸送を提案する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.003748389192021574
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Direct evidence of exciton condensation in semiconductor heterostructures remains elusive. Here we propose charge transport of doped carriers as a probe of exciton condensation in transition-metal dichalcogenide heterostructures and identify distinct experimental signatures. First, condensation suppresses the phase space for carrier scattering, leading to a reduction in resistivity, that provides a general diagnostic of exciton condensation. Second, in heterostructures with a tunable solid-state Feshbach resonance, condensate-induced hybridization between doped carriers and trion bound states qualitatively modifies transport. In particular, near resonance, this hybridization yields a negative effective mass and a corresponding sign reversal of the Hall resistivity. These results establish charge transport as a promising route for detecting and characterizing exciton condensation in semiconductor heterostructures.
- Abstract（参考訳）: 半導体ヘテロ構造におけるエキシトン凝縮の直接的証拠は、まだ解明されていない。
ここでは、遷移金属ジアルコゲナイドヘテロ構造における励起子凝縮のプローブとしてドープキャリアの電荷輸送を提案し、異なる実験的シグネチャを同定する。
第一に、凝縮はキャリア散乱の位相空間を抑え、比抵抗を減少させ、エキシトン凝縮の一般的な診断を提供する。
第二に、可変固体フェシュバッハ共鳴を持つヘテロ構造では、ドープキャリアとトライアンバウンド状態の間の凝縮誘起ハイブリッド化は輸送を質的に修飾する。
特に共鳴に近いこのハイブリダイゼーションは、ホール比抵抗の負の有効質量と対応する符号反転をもたらす。
これらの結果から, 半導体ヘテロ構造中のエキシトン凝縮の検出および特徴化に期待できる経路として電荷輸送が確立された。
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