論文の概要: On pseudogap phase as precursor to a superconducting dome in high-Tc cuprates: Non-analytic T* as a function of doping
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2606.11056v1
- Date: Tue, 09 Jun 2026 16:20:06 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-06-10 15:40:58.608022
- Title: On pseudogap phase as precursor to a superconducting dome in high-Tc cuprates: Non-analytic T* as a function of doping
- Title（参考訳）: 高Tc銅酸化物における超伝導ドームの前駆体としての擬ギャップ相:ドーピングの関数としての非解析的T*
- Authors: Felix A. Buot,
- Abstract要約: 擬ギャップ相を示す量子材料が超伝導(SC)ドームの前駆体であることを示す。
SCドームは,(1)擬似ギャップT*がドーピングの減少関数であること,(2)ドーピングによるドーピング孔の延長ペアリングの大きさの減少,および(2)構成順序パラメータの比率がドーピングの増大関数であること,の2つの条件で生成される。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We generalize the condition under which a quantum material exhibiting a pseudogap phase is a precursor to a superconducting (SC) dome. The result reveals the non-analytic T* as a function of doping. A well-known example is the high-Tc cuprates. Essentially, the SC dome is generated under two conditions: (1) that the pseudogap T* is a decreasing function of doping, due to the decrease in size of extended pairing of doped holes with doping, and most importantly, (2) that the rate of configurational-ordering parameter is an increasing function of doping as a result of the decrease in extended length of the disordered pairs. These two conditions are provided by the new entanglement and confinement pairing mechanism of high-Tc cuprates. This is a theory that has recently been discussed in the literature by Buot et al. It hinges on a novel strong entanglement and confinement hole pairing (ECHP) mechanism that unravels the microscopic features of the entire phase diagram of both electron and hole-doped high-Tc cuprates.
- Abstract（参考訳）: 擬ギャップ相を示す量子物質が超伝導(SC)ドームの前駆体となる条件を一般化する。
その結果、非解析的 T* をドーピングの関数として明らかにした。
有名な例としては、高Tcカップレートがある。
基本的に、SCドームは、(1)擬似ギャップT*がドーピングの縮小関数であり、(2)ドーピングによるドーピングによるドーピング孔の延長ペアリングの大きさの減少と、(2)乱れたペアの延長長の減少の結果、構成順序パラメータの速度がドーピングの増大関数である、という2つの条件で生成される。
これらの2つの条件は、高Tcカップレートの新しい絡み合いと閉じ込めペアリング機構によって提供される。
これはブットらによって最近議論された理論であり、電子とホールドープされた高Tc銅酸化物の相図全体の微視的特徴を解明する新しい強い絡み合いと閉じ込め孔ペアリング(ECHP)機構に基づいている。
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