論文の概要: New disordered anyon phase of doped graphene zigzag nanoribbon
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2208.12409v1
- Date: Fri, 26 Aug 2022 02:53:09 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-29 14:43:17.877396
- Title: New disordered anyon phase of doped graphene zigzag nanoribbon
- Title（参考訳）: ドープグラフェンジグザグナノリボンの新しい不規則アノン相
- Authors: Young Heon Kim, Hye Jeong Lee, Hyng-Yong Lee, S.-R. Eric Yang
- Abstract要約: 低ドーピング時の相互作用性ジグザグナノリボンについて検討した。
ドーピング濃度が上昇するにつれて,ミドルギャップピークは消失することがわかった。
ドープジグザグリボンはまた、異常な輸送性、磁気性、およびエッジ間トンネル特性を示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We investigate interacting disordered zigzag nanoribbons at low doping, using
the Hubbard model to treat electron interactions within the density matrix
renormalization group and Hartree-Fock method. Extra electrons that are
inserted into an interacting disordered zigzag nanoribbon divide into anyons.
Furthermore, the fractional charges form a new disordered anyon phase with a
highly distorted edge spin density wave, containing numerous localized magnetic
moments residing on the zigzag edges, thereby displaying spin-charge separation
and a strong non-local correlation between the opposite zigzag edges. We make
the following new predictions, which can be experimentally tested: (1) In the
low doping case and weak disorder regime, the soft gap in the tunneling density
of states is replaced by a sharp peak at the midgap energy with two
accompanying peaks. The $e^-/2$ fractional charges that reside on the boundary
of the zigzag edges are responsible for these peaks. (2) We find that the
midgap peak disappears as the doping concentration increases. The presence of
$e-/2$ fractional charges will be strongly supported by the detection of these
peaks. Doped zigzag ribbons may also exhibit unusual transport, magnetic, and
inter-edge tunneling properties.
- Abstract（参考訳）: 密度行列再正規化群とhartree-fock法における電子相互作用をハバードモデルを用いて処理し,低ドーピングでの相互作用型ジグザグナノリボンの研究を行った。
相互作用する不規則なジグザグナノリボンに挿入される余剰電子は、エノンに分裂する。
さらに、この分数電荷は、ジグザグエッジ上に存在する多数の局所化磁気モーメントを含む高い歪んだエッジスピン密度波を有する新しい歪みエノン相を形成し、スピン電荷分離と反対ジグザグエッジ間の強い非局所相関を示す。
実験により,(1)低ドーピングの場合と弱障害状態の場合,状態のトンネル密度のソフトギャップを,2つのピークを伴うミッドギャップエネルギーの鋭いピークに置き換える。
ジグザグ辺の境界にある$e^-/2$の分数電荷がこれらのピークの原因である。
2) ドーピング濃度の上昇に伴い中ギャップピークは消失することがわかった。
e-/2$分数電荷の存在は、これらのピークの検出によって強く支持される。
ドープジグザグリボンはまた、異常な輸送性、磁気、およびエッジ間トンネル特性を示す。
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