論文の概要: Epitaxial single T centres in silicon-on-insulator
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2607.06272v1
- Date: Tue, 07 Jul 2026 13:37:46 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-07-08 21:24:51.537185
- Title: Epitaxial single T centres in silicon-on-insulator
- Title（参考訳）: シリコンオン絶縁体におけるエピタキシャル単一T中心
- Abstract要約: シリコン量子エミッタに基づくスピン光子インタフェースは、量子コンピューティングとネットワークのためのスケーラブルなプラットフォームを提供する。
これを克服するために、高純度分子線エピタキシー(MBE)を用いて、シリコンオン絶縁体(SOI)ウェハに単一T中心をエピタキシャルに組み込む。
ナノフォトニック導波管に結合した単一T中心発光を実証し、均一な拡張の顕著な抑制を観察した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Spin-photon interfaces based on silicon quantum emitters offer a scalable platform for quantum computing and networking. However, achieving coherent photon emission remains a primary challenge due to stringent material quality requirements. To overcome this, we utilise high-purity molecular-beam epitaxy (MBE) to epitaxially incorporate single T centres in silicon-on-insulator (SOI) wafers. We demonstrate single T-centre emission coupled to a nanophotonic waveguide and observe significant suppression of homogeneous broadening, yielding optical linewidths as narrow as 30 MHz using natural silicon for crystal growth. These results establish epitaxial T centres as a robust foundation for coherent spin-photon interfaces in silicon quantum photonics.
- Abstract（参考訳）: シリコン量子エミッタに基づくスピン光子インタフェースは、量子コンピューティングとネットワークのためのスケーラブルなプラットフォームを提供する。
しかし、厳密な材料品質要求のため、コヒーレント光子放出を達成することが大きな課題である。
これを克服するために、高純度分子線エピタキシー(MBE)を用いて、シリコンオン絶縁体(SOI)ウェハに単一T中心をエピタキシャルに組み込む。
ナノフォトニック導波管に結合した単一T中心発光を実証し、均一な広帯域化を著しく抑制し、天然シリコンを結晶成長用として30MHzの幅の光線幅が得られることを示した。
これらの結果は、シリコン量子フォトニクスにおけるコヒーレントスピン-光子界面の堅牢な基盤としてエピタキシャルT中心を確立する。
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