論文の概要: Impact of strain and dark states on spectroscopic measurements of silicon-vacancy centers in diamond
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2608.11168v1
- Date: Tue, 11 Aug 2026 17:29:00 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-08-12 19:14:46.136613
- Title: Impact of strain and dark states on spectroscopic measurements of silicon-vacancy centers in diamond
- Title（参考訳）: ダイヤモンド中のシリコン空孔中心の分光測定におけるひずみと暗黒状態の影響
- Abstract要約: ダイヤモンドのSiV$-$中心ではひずみ効果が非常にランダムであることを示す。
その結果、SiV$-$のセンターを量子センサーとして用いることが示唆された。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.7817813851272347
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Negatively charged silicon-vacancy (SiV$^-$) centers in diamond offer an attractive platform for the development of many forms of quantum technology. However, questions remain in connection to how large ensembles of SiV$^-$ centers behave in concert. Here, we develop a computational model designed to simulate recent experiments where optical multidimensional coherent spectroscopy (MDCS) was used to examine a high-concentration sample of SiV$^-$ centers in diamond, revealing significant variations in spectral signature depending on the detection scheme. Simulation results reveal that strain effects are highly random in this system, with a characteristic axial strain of $2.8 \times 10^{-4}$ and a shear strain of $3.5 \times 10^{-5}$. They suggest in addition that highly strained centers (with values exceeding $1.5 \times 10^{-5}$) may become significantly decoupled from optical emission. The results have implications for the use of SiV$^-$ centers as quantum sensors.
- Abstract（参考訳）: ダイヤモンドの負電荷シリコン空孔(SiV$^-$)センターは、多くの量子技術の発展のための魅力的なプラットフォームを提供する。
しかし、SiV$^-$センターの大規模なアンサンブルがコンサートでどのように振る舞うかについては疑問が残る。
本稿では,光学多次元コヒーレント分光法(MDCS)をダイヤモンド中のSiV^-$中心の高濃度試料として用いた最近の実験をシミュレートする計算モデルを構築し,検出方式によるスペクトルシグネチャの有意な変動を明らかにした。
シミュレーションの結果、この系ではひずみ効果は非常にランダムであり、特性軸ひずみは2.8 \times 10^{-4}$、せん断ひずみは3.5 \times 10^{-5}$であることがわかった。
さらに、非常に歪んだ中心(1.5 \times 10^{-5}$を超える値)が光放出から著しく切り離される可能性があることを示唆している。
その結果、SiV$^-$センターを量子センサとして用いることに意味がある。
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