論文の概要: Vacancy aggregation enhances NV- spin coherence in diamond: a cluster-correlation-expansion study of multi-vacancy spin baths in semiconductors
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2609.24295v1
- Date: Mon, 21 Sep 2026 08:56:14 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-09-22 20:29:01.225978
- Title: Vacancy aggregation enhances NV- spin coherence in diamond: a cluster-correlation-expansion study of multi-vacancy spin baths in semiconductors
- Title(参考訳): 空孔凝集はダイヤモンド中のNV-スピンコヒーレンスを増強する:半導体中の多空スピン浴のクラスター相関-膨張研究
- Abstract要約: 半導体を焼成すると、その空孔が移動し、しばしばスピンを運ぶ多空錯体に凝集する。
彼らは照射されたダイヤモンドのNV脱コヒーレンスを非難されている。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Annealing a semiconductor makes its vacancies mobile; they aggregate into multi-vacancy complexes that often carry spin. Such centres are a magnetic-noise source for any spin qubit among them, in silicon and silicon carbide as well as in diamond, and they are accordingly blamed for NV- decoherence in irradiated and implanted diamond, with two coherence records credited to removing them. Cluster-correlation-expansion simulations driven by published electron-paramagnetic-resonance parameters invert that attribution. At a fixed paramagnetic spin density a multi-vacancy bath gives a Hahn-echo coherence time 2.7-4.4 times longer than a bath of isolated negative vacancies, constant over three decades of concentration. A bath dephases the qubit because its spins exchange spin projections with one another, and two can exchange only if their transition frequencies match. A fine-structure splitting shifts those frequencies. Were every defect on the same crystallographic site, all would shift alike and still match: worth only a factor 1.3. Real defects occupy symmetry-equivalent sites pointing in different directions, so neighbours land at different frequencies and stop exchanging: a further 1.9. What governs the coherence time is therefore the fraction of bath pairs sharing a transition frequency, not the zero-field splitting. Vacancy aggregation extends NV- spin coherence rather than shortening it.
- Abstract(参考訳): 半導体を焼成すると、その空孔が移動し、しばしばスピンを運ぶ多空錯体に凝集する。
このような中心は、シリコンや炭化ケイ素、ダイヤモンドなどあらゆるスピンクビットの磁気ノイズ源であり、照射されたダイヤモンドと注入されたダイヤモンドのNV脱コヒーレンスを原因としており、2つのコヒーレンス記録がある。
電子-常磁性共鳴パラメータによって駆動されるクラスター相関膨張シミュレーションは、その属性を反転させる。
固定された常磁性スピン密度において、多空浴はハーン・エチョのコヒーレンス時間2.7-4.4を、30年以上の濃度で連続する孤立した負の空孔の浴の2.7-4.4倍の時間を与える。
浴槽は、スピンがスピンプロジェクションを互いに交換するためキュービットを脱相し、2つの遷移周波数が一致する場合にのみ交換できる。
微細構造分割はそれらの周波数をシフトさせる。
同じ結晶サイトにあるすべての欠陥は、すべて同じように変化し、いまだに一致している。
真の欠陥は、異なる方向を示す対称性に等価な位置を占めるため、隣人は異なる周波数で着陸し、交換を停止する。
したがって、コヒーレンス時間を支配するのは、ゼロフィールド分割ではなく、遷移周波数を共有するバスペアのごく一部である。
空孔凝集はNV-スピンコヒーレンスを短くするのではなく拡張する。
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