論文の概要: A Voltage-controlled MTJ-CMOS Neuron Emulating Tunable Izhikevich-Inspired Dynamics
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2609.32031v1
- Date: Fri, 25 Sep 2026 21:52:05 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-10-08 03:39:16.454544
- Title: A Voltage-controlled MTJ-CMOS Neuron Emulating Tunable Izhikevich-Inspired Dynamics
- Title(参考訳): 可変イジケビッチ誘発ダイナミクスを模擬した電圧制御MTJ-CMOSニューロン
- Abstract要約: 我々は、電圧制御型磁気トンネル接合(V-MTJ)をCMOS回路と共設計する、イジケビッチにインスパイアされた再構成可能なニューロンを提案する。
提案アーキテクチャは、可変エネルギーランドスケープによって実現されるV-MTJ励起性ダイナミクスとCMOSリカバリダイナミクスを組み合わせて、5つの異なるニューロン発射パットテルンを生成する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 2.434314368738525
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Biological neurons exhibit diverse firing dynamics that enable adaptive and stimulus-dependent signalling, yet reproducing these dynamics in hardware has remained an enduring challenge. In this work, we present an Izhikevich- inspired reconfigurable neuron that co-designs voltage-controlled magnetic tunnel junction (V-MTJ) dynamics with CMOS circuitry. The proposed architecture combines V-MTJ excitability dynamics, enabled by a tunable energy landscape, with CMOS recovery dynamics to generate five distinct neuronal firing pat- terns with different spiking, bursting and response characteristics. Our results, based on measured V-MTJ characteristics and circuit simulations using com- mercial GlobalFoundries 22-nm FD-SOI CMOS technology, show an average energy consumption of 145.44 fJ per spike. Algorithmic simulations further show that these firing dynamics reduce inference spike activity by up to 88.6% while maintaining baseline classification accuracy. These results highlight the potential of V-MTJ/CMOS reconfigurable neurons to reduce computational activity and enable compact, energy-efficient brain-inspired computing systems.
- Abstract(参考訳): 生体ニューロンは適応性および刺激依存性のシグナル伝達を可能にする多様な発火ダイナミクスを示すが、ハードウェアでこれらのダイナミクスを再現することは永続的な課題である。
本稿では、電圧制御型磁気トンネル接合(V-MTJ)ダイナミクスとCMOS回路を共設計したイジケビッチ型再構成可能なニューロンについて述べる。
提案アーキテクチャは、可変エネルギーランドスケープによって実現されるV-MTJ励起性ダイナミクスとCMOSリカバリダイナミクスを組み合わせて、異なるスパイク、バースト、応答特性を持つ5つの異なるニューロン発射パットテルンを生成する。
その結果,22nm FD-SOI CMOS技術を用いたV-MTJ特性と回路シミュレーションにより,スパイク当たりの平均エネルギー消費量は145.44 fJであった。
アルゴリズムシミュレーションにより、これらの発火ダイナミクスは、基準線分類精度を維持しながら、推論スパイク活性を最大88.6%減少させることが示された。
これらの結果は、V-MTJ/CMOS再構成可能なニューロンが計算活性を減らし、コンパクトでエネルギー効率の良い脳インスパイアされたコンピュータシステムを実現する可能性を強調している。
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