論文の概要: Gate-defined quantum dot and charge noise analysis in a Forksheet transistor

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2610.24136v1
• Date: Fri, 16 Oct 2026 19:07:28 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-10-26 10:46:49.963892
• Title: Gate-defined quantum dot and charge noise analysis in a Forksheet transistor
• Title（参考訳）: Forksheetトランジスタにおけるゲート定義量子ドットと電荷雑音解析
• Abstract要約: 14nmのnMOS Forksheetトランジスタの低温特性について報告する。 この装置は、低温特性を改善したトランジスタ動作を維持しつつ、ゲート定義量子ドットを形成する。 これらの結果は、将来の量子プロセッサにおける量子および古典的なCMOS機能のモノリシックな統合のためのForksheet技術の可能性を強調している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We report the cryogenic characterization of a 14-nm nMOS Forksheet transistor down to 10 mK. We demonstrate that the device retains transistor operation with improved characteristics at cryogenic temperatures, while also forming a gate-defined quantum dot that can be tuned to the single-electron regime. In the quantum-dot regime, we perform low-frequency charge-noise measurements across different charge occupations and observe an average charge-noise amplitude of $\langle S_0\rangle = 10\;μ\mathrm{eV}/\sqrt{\mathrm{Hz}}$ at 1 Hz, with a minimum measured value of $3.3\;μ\mathrm{eV}/\sqrt{\mathrm{Hz}}$. These results highlight the potential of Forksheet technology for the monolithic cointegration of quantum and classical CMOS functionalities in future quantum processors.
• Abstract（参考訳）: 14nmのnMOS Forksheetトランジスタの低温特性について報告する。 本装置は, 低温特性を向上したトランジスタ動作を維持しつつ, 単一電子状態に調整可能なゲート定義量子ドットを形成することを実証した。 量子ドット系では、異なる電荷占有量にわたる低周波電荷ノイズ測定を行い、平均電荷ノイズ振幅が$\langle S_0\rangle = 10\;μ\mathrm{eV}/\sqrt{\mathrm{Hz}}$を1Hzで観測し、最低値が$3.3\;μ\mathrm{eV}/\sqrt{\mathrm{Hz}}$とする。 これらの結果は、将来の量子プロセッサにおける量子および古典的なCMOS機能のモノリシックな統合のためのForksheet技術の可能性を強調している。

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