論文の概要: Sidewall Metrology Protocol for Superconducting Qubit Devices

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2610.26223v1
• Date: Mon, 19 Oct 2026 11:50:16 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-10-23 18:54:49.518798
• Title: Sidewall Metrology Protocol for Superconducting Qubit Devices
• Title（参考訳）: 超電導量子デバイスのためのサイドウォールメトロロジープロトコル
• Abstract要約: サイドウォール形態は超伝導量子ビットの性能に影響を与える潜在的に重要な要因である。 超伝導クビット側壁の定量的評価のための走査型プローブ顕微鏡による計測フレームワークを開発した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Sidewall morphology is a potentially important factor influencing superconducting qubit performance, yet its quantitative characterization remains challenging due to the absence of standardized measurement protocols. In this work, we develop a scanning probe microscopy-based measurement framework for the quantitative characterization of superconducting qubit sidewalls. The framework introduces a refined root mean square lateral sidewall roughness descriptor and a new curvature-equivalent radius for quantifying vertical sidewall morphology. The descriptors and measurement procedures are applied to different components of qubit devices, forming the basis of a proposed sidewall characterization protocol. This provides a foundation for quantitative comparisons of fabrication processes across laboratories, enabling future investigations of correlations between sidewall geometry and qubit performance.
• Abstract（参考訳）: サイドウォール形態は超伝導量子ビット性能に影響を及ぼす潜在的に重要な要因であるが、標準化された測定プロトコルが存在しないため、定量評価は依然として困難である。 本研究では,超伝導クビット側壁の定量的評価のための走査型プローブ顕微鏡による計測フレームワークを開発した。 このフレームワークは、改良されたルート平均方形側壁粗さ記述子と、垂直側壁形態を定量化するための新しい曲率等価半径を導入する。 ディスクリプタと測定手順は、キュービットデバイスの異なるコンポーネントに適用され、提案されたサイドウォールキャラクタリゼーションプロトコルの基礎となる。 このことは、研究室間での製造過程の定量的比較の基礎となり、サイドウォール幾何学とキュービット性能の相関関係の将来の研究を可能にした。

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