論文の概要: Improving trapped-ion-qubit memories via code-mediated error-channel
balancing
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/1606.00056v4
- Date: Tue, 30 May 2023 09:00:12 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-06-01 03:49:07.099355
- Title: Improving trapped-ion-qubit memories via code-mediated error-channel
balancing
- Title(参考訳): コード経由のエラーチャネルバランシングによる捕捉イオン量子ビットメモリの改善
- Authors: Yannick Seis and Benjamin J. Brown and Anders S. S{\o}rensen and
Joseph F. Goodwin
- Abstract要約: 劣化誤りの誤り訂正を組み込むことにより,ノイズバイアス付きトラップイオン量子ビットメモリを大幅に改善できることを示す。
我々のプロトコルは、非常に低い忠実度を持つ単一のグローバルエンタングリング位相ゲートで実現可能であることを示す。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 2.867517731896504
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: The high-fidelity storage of quantum information is crucial for quantum
computation and communication. Many experimental platforms for these
applications exhibit highly biased noise, with good resilience to spin
depolarisation undermined by high dephasing rates. In this work, we demonstrate
that the memory performance of a noise-biased trapped-ion qubit memory can be
greatly improved by incorporating error correction of dephasing errors through
teleportation of the information between two repetition codes written on a pair
of qubit registers in the same trap. While the technical requirements of error
correction are often considerable, we show that our protocol can be achieved
with a single global entangling phase gate of remarkably low fidelity,
leveraging the fact that the gate errors are also dominated by dephasing-type
processes. By rebalancing the logical spin-flip and dephasing error rates, we
show that for realistic parameters our memory can exhibit error rates up to two
orders of magnitude lower than the unprotected physical qubits, thus providing
a useful means of improving memory performance in trapped ion systems where
field-insensitive qubits are not available.
- Abstract(参考訳): 量子情報の高忠実性保存は、量子計算と通信に不可欠である。
これらの応用のための多くの実験プラットフォームは高いバイアスのノイズを示し、高いデファスレートによって弱まるスピンデポーライゼーションに対するレジリエンスが良好である。
そこで本研究では,同一トラップ内の2つのキュービットレジスタに書き込まれた2つの繰り返し符号間の情報をテレポートすることにより,誤りを強調する誤り訂正を組み込むことにより,ノイズバイアス付きトラップイオン量子ビットメモリのメモリ性能を大幅に改善できることを実証する。
誤り訂正の技術的要件はしばしば大きいが,我々のプロトコルは極めて低忠実な単一グローバルエンタングリング位相ゲートで実現可能であることを示し,ゲートエラーがデファス方式のプロセスに支配されているという事実を活用する。
論理スピンフリップとデフォーカス誤り率を再評価することにより、現実的なパラメータに対して、我々のメモリは、保護されていない物理量子ビットよりも最大2桁低い誤差率を示すことができ、フィールド非感受性量子ビットが利用できないトラップイオン系において、メモリ性能を向上させる有用な手段を提供する。
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