Fugu-MT 論文翻訳(概要): Functional surface ion traps on a 12-inch glass wafer for quantum applications

論文の概要: Functional surface ion traps on a 12-inch glass wafer for quantum applications

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2002.11470v1
Date: Wed, 26 Feb 2020 13:38:49 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-06-01 21:14:48.465134
Title: Functional surface ion traps on a 12-inch glass wafer for quantum applications
Title（参考訳）: 量子応用のための12インチガラスウェハ上の機能的表面イオントラップ
Authors: J Tao, J Likforman, P Zhao, H. Li, T Henner, Y Lim, W Seit, Luca Guidoni, C Tan
Abstract要約: 12インチガラス基板上に完全に機能するRFイオントラップを大規模に作製したことを報告した。イオン寿命は真空室の圧力が5 x 10-11 mbarの30分である。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We report large-scale fabrication of perfectly functional radio frequency (RF) surface ion traps on a 12-inch glass substrate with a standard CMOS-compatible backend process. Established 12-inch foundry backend process of electroplated Cu with Au finish are employed to fabricate the surface electrodes directly on the glass wafer substrate. We tested a trap by loading it with laser-cooled 88 Sr + ions. The trap shows a stable operation with RF amplitude in the range 100-230 V at 33 MHz frequency. The ion lifetime is on the order of 30 minutes for a pressure in the vacuum chamber of 5 x 10-11 mbar, which demonstrates an exciting potential for future implementation of quantum computing system with a standard foundry process on CMOS compatible and cost-effective platform.
Abstract（参考訳）: 標準CMOS互換バックエンドプロセスを用いた12インチガラス基板上における完全機能型RF表面イオントラップの大規模製造について報告する。電気めっきしたCuとAuの12インチ鋳造バックエンドプロセスを用いて表面電極をガラスウェハ基板に直接作製する。レーザー冷却した88Sr+イオンを積載してトラップ実験を行った。このトラップは、周波数33MHzで100-230Vの範囲でRF振幅で安定した動作を示す。イオン寿命は5 x 10-11 mbarの真空チャンバーの圧力で30分であり、CMOS互換で費用対効果の高いプラットフォーム上で標準的な鋳造プロセスを持つ量子コンピューティングシステムの将来の実装のエキサイティングな可能性を示している。

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